[導讀]繼2012年晶圓代工廠突破28奈米制程后，帶動半導體產(chǎn)業(yè)鏈2013年朝向20奈米更高階的制程、整合式的封裝發(fā)展，但也讓IC設計公司因制程改變而延伸出的壽命問題。
宜特公司觀察發(fā)現(xiàn)，隨著云端整合技術日趨成熟、行動通訊
繼2012年晶圓代工廠突破28奈米制程后，帶動半導體產(chǎn)業(yè)鏈2013年朝向20奈米更高階的制程、整合式的封裝發(fā)展，但也讓IC設計公司因制程改變而延伸出的壽命問題。
宜特公司觀察發(fā)現(xiàn)，隨著云端整合技術日趨成熟、行動通訊產(chǎn)品滲透率日增，半導體元件在行動式裝置的發(fā)展仍以輕薄短小為主軸下，半導體元件制程則不斷朝更高階的28、20奈米移動，并隨市場需求走向SiP、SOC、POP、3D、3D TSV 等高階先進封裝技術。特別在臺灣封測雙雄-日月光、矽品不僅已從Prototype實驗階段，逐漸轉向量產(chǎn)態(tài)勢，晶圓大廠亦投入大量資本支出在新應用產(chǎn)品上。
宜特科技工程總處資深副總經(jīng)理崔革文說明，將多個IC置放至同一封裝體時，其整體壽命將會受到不同元件間的熱傳導相互干擾而下降，也就是10℃理論(溫度上升10 ℃，壽命縮減一半)；而高階制程的IC，則是在相同面積下放入更多電晶體，如此所產(chǎn)生的熱，高達以往IC產(chǎn)品的數(shù)倍，因此，溫度提高對IC壽命的影響將不容小覷。
崔革文更進一步指出，IC間因制程差異所產(chǎn)生的功率變異范圍也隨之提升。如何在傳統(tǒng)的IC HTOL(高溫工作壽命實驗)中，有效、平穩(wěn)的控制每一個DUT(Device Under Test，被測元器件)的溫度，經(jīng)由穩(wěn)定的高溫加速模擬實驗，獲得實際應用的壽命預估數(shù)值，是目前IC設計公司高度關注的議題。
為解決IC設計公司因制程改變而延伸出的壽命問題，宜特導入「高功率」IC壽命模擬測試設備- HTOL(High Temperature Operating Life Test，高溫工作壽命試驗)解決方案，其設備所提供的Power與I/O訊號Channel供應上更完整，并能以獨立溫控，取代傳統(tǒng)Air Cooling加溫方式，可協(xié)助IC設計公司降低IC試驗時產(chǎn)生的不確定性，縮短量產(chǎn)前產(chǎn)品驗證時間。
宜特公司觀察發(fā)現(xiàn)，隨著云端整合技術日趨成熟、行動通訊產(chǎn)品滲透率日增，半導體元件在行動式裝置的發(fā)展仍以輕薄短小為主軸下，半導體元件制程則不斷朝更高階的28、20奈米移動，并隨市場需求走向SiP、SOC、POP、3D、3D TSV 等高階先進封裝技術。特別在臺灣封測雙雄-日月光、矽品不僅已從Prototype實驗階段，逐漸轉向量產(chǎn)態(tài)勢，晶圓大廠亦投入大量資本支出在新應用產(chǎn)品上。
宜特科技工程總處資深副總經(jīng)理崔革文說明，將多個IC置放至同一封裝體時，其整體壽命將會受到不同元件間的熱傳導相互干擾而下降，也就是10℃理論(溫度上升10 ℃，壽命縮減一半)；而高階制程的IC，則是在相同面積下放入更多電晶體，如此所產(chǎn)生的熱，高達以往IC產(chǎn)品的數(shù)倍，因此，溫度提高對IC壽命的影響將不容小覷。
崔革文更進一步指出，IC間因制程差異所產(chǎn)生的功率變異范圍也隨之提升。如何在傳統(tǒng)的IC HTOL(高溫工作壽命實驗)中，有效、平穩(wěn)的控制每一個DUT(Device Under Test，被測元器件)的溫度，經(jīng)由穩(wěn)定的高溫加速模擬實驗，獲得實際應用的壽命預估數(shù)值，是目前IC設計公司高度關注的議題。
為解決IC設計公司因制程改變而延伸出的壽命問題，宜特導入「高功率」IC壽命模擬測試設備- HTOL(High Temperature Operating Life Test，高溫工作壽命試驗)解決方案，其設備所提供的Power與I/O訊號Channel供應上更完整，并能以獨立溫控，取代傳統(tǒng)Air Cooling加溫方式，可協(xié)助IC設計公司降低IC試驗時產(chǎn)生的不確定性，縮短量產(chǎn)前產(chǎn)品驗證時間。
下載文檔
