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[導(dǎo)讀]用于便攜終端才是本意? 在便攜終端用小型及薄型封裝中,相對(duì)于無(wú)芯基板,無(wú)基板技術(shù)更有可能率先普及。原因是無(wú)基板技術(shù)是在芯片表面直接形成較薄的再布線層,因此比無(wú)芯基板更容易實(shí)現(xiàn)薄型化。 無(wú)基板技術(shù)的

用于便攜終端才是本意?

在便攜終端用小型及薄型封裝中,相對(duì)于無(wú)芯基板,無(wú)基板技術(shù)更有可能率先普及。原因是無(wú)基板技術(shù)是在芯片表面直接形成較薄的再布線層,因此比無(wú)芯基板更容易實(shí)現(xiàn)薄型化。

無(wú)基板技術(shù)的代表有晶圓級(jí)封裝(WLP)。此前WLP大多是在芯片面積內(nèi)形成再布線層的“扇入(Fan-in)”型,這種技術(shù)只能用于端子數(shù)較少的部分封裝。不過(guò),最近在超出芯片面積的大范圍內(nèi)形成再布線層的“扇出(Fan-out)”型WLP不斷增加,由此可以支持端子數(shù)較多的封裝需求(表1)。



例如,德國(guó)英飛凌科技(Infineon Technologies)的無(wú)線業(yè)務(wù)部門(mén)(現(xiàn)已被美國(guó)英特爾收購(gòu))開(kāi)發(fā)的扇出型WLP將單個(gè)芯片植入晶圓狀樹(shù)脂板中,可在超出芯片面積的區(qū)域形成再布線層(圖8)。該技術(shù)被授權(quán)提供給臺(tái)灣日月光集團(tuán)(ASE Group)等,日月光集團(tuán)已將其作為“aWLP”上市。該技術(shù)除了用于便攜終端的小型及薄型封裝外,“作為使多枚芯片形成模塊的技術(shù)也能充分發(fā)揮作用”(日月光集團(tuán))。

圖8:實(shí)現(xiàn)扇出型WLP
通過(guò)將單個(gè)芯片植入樹(shù)脂中,形成再布線層,可實(shí)現(xiàn)扇出型WLP。本圖出自英飛凌科技無(wú)線業(yè)務(wù)部門(mén)(現(xiàn)已被英特爾公司收購(gòu))的資料。


與這種先行技術(shù)相比,J-DEVICES開(kāi)發(fā)出了成本更低的“WFOP(扇出型晶圓級(jí)封裝,Wafer level Fan-out Package)”技術(shù)(圖9)。這種技術(shù)可在面積比晶圓狀樹(shù)脂板更大的金屬板上安裝單個(gè)芯片,統(tǒng)一形成再布線層,由此降低成本。該公司計(jì)劃在封裝中也采用WFOP取代供貨量較多的50~300端子FBGA(finepitch BGA),有望比FBGA進(jìn)一步降低成本。由于采用無(wú)基板構(gòu)造,預(yù)計(jì)封裝的安裝高度也能降至0.4mm,適合用于便攜終端。

圖9:J-DEVICES的“WFOP”
J-DEVICES開(kāi)發(fā)出了無(wú)基板構(gòu)造的“WFOP”作為新一代薄型封裝。本圖出自J-DEVICES的資料。


目前,采用WFOP的單層封裝的技術(shù)開(kāi)發(fā)已基本結(jié)束,預(yù)定2011年內(nèi)面向客戶提供。主要用途包括手機(jī)的時(shí)鐘發(fā)生器(Clock Generator)及顯示緩沖器(Display Buffer)等周邊IC。兩層品預(yù)定2012~2013年開(kāi)始提供。采用兩層品還可用于500~600端子的基帶處理器和應(yīng)用處理器。

將在高端ASIC中采用無(wú)基板技術(shù)


無(wú)基板技術(shù)還能提高封裝的性能。例如,即使是在采用無(wú)芯基板的封裝中,由于芯片和基板要通過(guò)焊錫凸點(diǎn)等連接,容易發(fā)生信號(hào)反射等。而無(wú)基板技術(shù)在芯片上直接通過(guò)鍍銅等形成再布線層,因此信號(hào)反射等問(wèn)題較少,有望進(jìn)一步提高性能。

不過(guò),要想在高性能微處理器和ASIC中利用無(wú)基板技術(shù),還存在需要解決的課題。無(wú)基板技術(shù)受制程中的垃圾(粉塵)等影響,成品率容易下降,難以實(shí)現(xiàn)再布線層的多層化。

無(wú)基板技術(shù)的多層化尚處于研究開(kāi)發(fā)階段。目前的先行事例有瑞薩電子開(kāi)發(fā)的“SIRRIUS(Seamless Interconnect for Re-Routing LSI Using Substrate technology)”(圖10)?,F(xiàn)已試制出采用3層構(gòu)造再布線層的31mm見(jiàn)方900端子封裝。不包括BGA端子在內(nèi)的封裝厚度只有0.69mm,是原封裝的1/4。作為高性能的薄型封裝,瑞薩電子的目標(biāo)是在幾年以內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。(全文完,記者:木村 雅秀)

圖10:瑞薩試制的“SIRRIUS”
瑞薩電子的“SIRRIUS”通過(guò)無(wú)基板構(gòu)造實(shí)現(xiàn)了3層。除了能實(shí)現(xiàn)高性能化和薄型化外,因采用銅板,散熱性也比較高。圖中數(shù)據(jù)出自該公司的資料。



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