東芝開發(fā)出用于16nm工藝以后半導體布線的探針技術(shù)

時間：2011-01-27 05:52:00

關(guān)鍵字：東芝半導體布線金屬

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[導讀]此次開發(fā)的探針。即使整個接觸面磨損，綠色金屬部分的形狀也不會改變。（點擊放大）原來的Si懸臂梁在耐用性上存在問題。（點擊放大）據(jù)介紹此次開發(fā)的探針的耐用性提高到了原來的25倍。（點擊放大）東

此次開發(fā)的探針。即使整個接觸面磨損，綠色金屬部分的形狀也不會改變。（點擊放大）

原來的Si懸臂梁在耐用性上存在問題。（點擊放大）

據(jù)介紹此次開發(fā)的探針的耐用性提高到了原來的25倍。（點擊放大）
東芝宣布，與技術(shù)研究聯(lián)盟BEANS研究所及東京大學聯(lián)合開發(fā)出了計劃應(yīng)用于16nm工藝以后半導體布線圖案的探針技術(shù)。

通過按照AFM（原子力顯微鏡）的要領(lǐng)在Si基板上進行探針掃描來繪制布線圖案。一邊在Si基板和探針之間加載電壓一邊掃描時，在Si基板和探針的接觸部分會產(chǎn)生電化學反應(yīng)，從而能夠局部形成SiO2等。不過，以前的探針（Si懸臂梁）的尖端部分在掃描中會磨損，施加400nN的壓力，最多掃描0.8mm。

此次分別制作了探針的物理接觸部分（Si部分）和電接觸部分（金屬部分）。具體做法是在長方形Si片上雕刻多個溝槽、在溝槽側(cè)壁上形成金屬膜，以用于探針尖端。Si部分逐漸磨損，而電接觸部分卻始終保持一定的形狀，因此能夠長期使用。據(jù)東芝介紹，現(xiàn)已實際證實，施加400nN的壓力可掃描20mm，耐用性提高到了原來的25倍。

據(jù)了解，目前金屬膜的厚度為200～300nm，今后如果減小薄膜厚度，就能夠描繪更加微細的圖案。除用于半導體布線圖案外，還可以用于基因評價裝置的檢查部分和硬盤的磁頭部分等。

此次開發(fā)的成果將于27日（當?shù)貢r間）在墨西哥坎昆舉行的國際學會“IEEE/MEMS2011”（2011年1月23日～27日）上發(fā)表。另外，此次研究開發(fā)的一部分是作為NEDO委托的“BEANS項目：異領(lǐng)域融合型新一代元件（Bio Electromechanical Autonomous Nano Systems）制造技術(shù)開發(fā)項目”的一部分而實施的。（記者：木村雅秀）