沖電氣（OKI）向安森美半導(dǎo)體歐洲工廠提供排氣處理設(shè)備
[導(dǎo)讀]東京, 2013年3月12日 - (亞太商訊) - 沖電氣（OKI）報導(dǎo)，沖電氣集團（OKI）旗下的提供可靠性評估和環(huán)保技術(shù)服務(wù)的沖工程技術(shù)株式會社（社長：淺井裕，總公司：日本東京都練馬區(qū)，以下簡稱“OEG”）向半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商
東京, 2013年3月12日 - (亞太商訊) - 沖電氣（OKI）報導(dǎo)，沖電氣集團（OKI）旗下的提供可靠性評估和環(huán)保技術(shù)服務(wù)的沖工程技術(shù)株式會社（社長：淺井裕，總公司：日本東京都練馬區(qū)，以下簡稱“OEG”）向半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）公司（社長：Keith Jackson，總公司：美國亞利桑那州鳳凰城）歐洲工廠提供常壓CVD※1生產(chǎn)設(shè)備用排氣處理設(shè)備“KGT-3MM-AP”。該設(shè)備不僅能夠處理常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備所使用的特殊氣體的危害，還可以控制排放氣體保持一定的壓力，保證CVD膜生產(chǎn)線的穩(wěn)定生產(chǎn)，為客戶生產(chǎn)過程中的環(huán)保作貢獻。
Power FET※2和IGBT※3等半導(dǎo)體絕緣膜的生產(chǎn)，常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備不可或缺。但該生產(chǎn)設(shè)備使用SiH4※5、PH3※6、B2H6※7等對人體有害的氣體，所以必須進行排氣處理。 OEG的排氣處理設(shè)備“KGT-3MM-AP”采用的是濕式處理方式，可以高效處理CVD制膜過程中使用的特殊氣體和粉末。設(shè)備內(nèi)部采用特種不銹鋼過濾器，不但提高了有害氣體處理能力，而且結(jié)構(gòu)上不容易發(fā)生堵塞，因此不維修也可以長時間運營。另外，內(nèi)部過濾器采用特殊構(gòu)造，易于清潔，降低設(shè)備維修管理負(fù)擔(dān)而得到好評。并且，壓力控制微壓計也是為CVD制膜所使用氣體而開發(fā)的，排氣扇變頻控制實現(xiàn)了常壓CVD制膜過程中不可或缺的排氣壓力控制，保證長時間穩(wěn)定運行。
三年前，作為天谷制作所（社長：吉岡獻太郎，總公司：日本崎玉縣越谷市）生產(chǎn)的連續(xù)常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備所配備的排氣處理設(shè)備，OEG向安森美半導(dǎo)體提供了“ KGT-3MM-AP”。該設(shè)備連續(xù)作業(yè)無故障保證了CVD膜的穩(wěn)定生產(chǎn)，其壓力控制方式和排放有害氣體的處理效能等得到安森美半導(dǎo)體的好評，再次被該公司歐洲工廠采用。采用該設(shè)備不僅可以確保其歐洲工廠NSG※8、PSG※9、BPSG※10等CVD膜的膜層厚度的穩(wěn)定，還促進工廠提高產(chǎn)量，削減排氣處理費用。
OEG排氣處理設(shè)備的生產(chǎn)制造已有近30年的歷史，有為日本和臺灣的半導(dǎo)體和太陽能電池生產(chǎn)廠家提供設(shè)備的豐富業(yè)績。此次是為歐洲客戶提供設(shè)備，還計劃將來開拓東南亞市場。
【用語解釋】
※1. CVD
CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積），是沉積方法的一種，在加熱主板上產(chǎn)生各種材質(zhì)的薄膜。
※2. Power FET
Power FET （Power Field-Effect Transistor）是為處理大電力MOSFET※4而設(shè)計的，和其他電源設(shè)備比較，其開關(guān)速度快，在低壓區(qū)的轉(zhuǎn)換功效高，因此多用于200V以下的開關(guān)電源、DC -DC轉(zhuǎn)換器等。
※3. IGBT
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，用于電流控制。
※4. MOSFET
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體三極管）是場效應(yīng)晶體管（FET）的一種，多采用二氧化矽材料，多用于整合電路。
※5. 矽烷（SiH4）
矽烷（silane，SiH4）分子量為32.12，是無色有臭氣體，是用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的特殊氣體的代表。
※6. 磷化氫（PH3）
磷化氫（phosphine ，PH3）是一種無色、劇毒、易燃的氣體，無機化合物。是半導(dǎo)體生產(chǎn)原料混合氣體的原料，有時也用于n形矽的InGaP（銦鎵磷）半導(dǎo)體生產(chǎn)。
※7. 乙硼烷（B2H6）
乙硼烷（diborane，B2H6）是硼氫化合物，無色有臭味氣體，是重要的半導(dǎo)體材料。主要用于聚合催化劑和還原劑及火箭推進劑等。易燃、易爆、劇毒。
※8. NSG（None-doped Silicate Glass）膜
不含磷和硼等不純物質(zhì)的二氧化矽（SiO2）膜。
※9. PSG（Phospho silicate glass）膜
含磷的矽氧化膜。
※10. BPSG（Boro-phospho silicate glass）膜
含硼和磷的矽氧化膜。
關(guān)于沖電氣工業(yè)株式會社(OKI)
沖電氣工業(yè)株式會社創(chuàng)立于1881年，是日本最早的電子通信設(shè)備生產(chǎn)廠家?？偣驹谌毡緰|京。 131年來，沖電氣秉承著創(chuàng)業(yè)以來的“進取的精神”，不斷開發(fā)并提供有助于資訊社會發(fā)展的產(chǎn)品。近年來，在品牌標(biāo)語“開啟您的夢想”(英文：Open up your dreams)的指引下，作為為所有利益相關(guān)者開啟夢想之門并實現(xiàn)其理想的企業(yè)，和被全世界各國客戶信賴的合作夥伴，努力實現(xiàn)持續(xù)性增長。詳細(xì)資料請參閱沖電氣中文網(wǎng)頁：http://www.oki.com/cn/。
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中國
沖電氣工業(yè)株式會社北京事務(wù)所
古川 裕一
電話: 010-5825-7700
E-mail: furukawa388@oki.com
其他地區(qū)
沖電氣工業(yè)株式會社
公共關(guān)系部 葛 蕾
電話: +81-3-3501-3835
E-mail: press@oki.com
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沖電氣工業(yè)株式會社創(chuàng)立于1881年，是日本最早的電子通信設(shè)備生產(chǎn)廠家?？偣驹谌毡緰|京。 130年來，沖電氣秉承著創(chuàng)業(yè)以來的“進取的精神”，不斷開發(fā)并提供有助于資訊社會發(fā)展的產(chǎn)品。近年來，在品牌標(biāo)語“開啟您的夢想”(英文：Open up your dreams)的指引下，作為為所有利益相關(guān)者開啟夢想之門并實現(xiàn)其理想的企業(yè)，和被全世界各國客戶信賴的合作夥伴，努力實現(xiàn)持續(xù)性增長。詳細(xì)資料請參閱沖電氣中文網(wǎng)頁： http://www.oki.com/cn/ 。Copyright 2013 ACN Newswire. All rights reserved.
Power FET※2和IGBT※3等半導(dǎo)體絕緣膜的生產(chǎn)，常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備不可或缺。但該生產(chǎn)設(shè)備使用SiH4※5、PH3※6、B2H6※7等對人體有害的氣體，所以必須進行排氣處理。 OEG的排氣處理設(shè)備“KGT-3MM-AP”采用的是濕式處理方式，可以高效處理CVD制膜過程中使用的特殊氣體和粉末。設(shè)備內(nèi)部采用特種不銹鋼過濾器，不但提高了有害氣體處理能力，而且結(jié)構(gòu)上不容易發(fā)生堵塞，因此不維修也可以長時間運營。另外，內(nèi)部過濾器采用特殊構(gòu)造，易于清潔，降低設(shè)備維修管理負(fù)擔(dān)而得到好評。并且，壓力控制微壓計也是為CVD制膜所使用氣體而開發(fā)的，排氣扇變頻控制實現(xiàn)了常壓CVD制膜過程中不可或缺的排氣壓力控制，保證長時間穩(wěn)定運行。
三年前，作為天谷制作所（社長：吉岡獻太郎，總公司：日本崎玉縣越谷市）生產(chǎn)的連續(xù)常壓CVD生產(chǎn)設(shè)備所配備的排氣處理設(shè)備，OEG向安森美半導(dǎo)體提供了“ KGT-3MM-AP”。該設(shè)備連續(xù)作業(yè)無故障保證了CVD膜的穩(wěn)定生產(chǎn)，其壓力控制方式和排放有害氣體的處理效能等得到安森美半導(dǎo)體的好評，再次被該公司歐洲工廠采用。采用該設(shè)備不僅可以確保其歐洲工廠NSG※8、PSG※9、BPSG※10等CVD膜的膜層厚度的穩(wěn)定，還促進工廠提高產(chǎn)量，削減排氣處理費用。
OEG排氣處理設(shè)備的生產(chǎn)制造已有近30年的歷史，有為日本和臺灣的半導(dǎo)體和太陽能電池生產(chǎn)廠家提供設(shè)備的豐富業(yè)績。此次是為歐洲客戶提供設(shè)備，還計劃將來開拓東南亞市場。
【用語解釋】
※1. CVD
CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積），是沉積方法的一種，在加熱主板上產(chǎn)生各種材質(zhì)的薄膜。
※2. Power FET
Power FET （Power Field-Effect Transistor）是為處理大電力MOSFET※4而設(shè)計的，和其他電源設(shè)備比較，其開關(guān)速度快，在低壓區(qū)的轉(zhuǎn)換功效高，因此多用于200V以下的開關(guān)電源、DC -DC轉(zhuǎn)換器等。
※3. IGBT
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，用于電流控制。
※4. MOSFET
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體三極管）是場效應(yīng)晶體管（FET）的一種，多采用二氧化矽材料，多用于整合電路。
※5. 矽烷（SiH4）
矽烷（silane，SiH4）分子量為32.12，是無色有臭氣體，是用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的特殊氣體的代表。
※6. 磷化氫（PH3）
磷化氫（phosphine ，PH3）是一種無色、劇毒、易燃的氣體，無機化合物。是半導(dǎo)體生產(chǎn)原料混合氣體的原料，有時也用于n形矽的InGaP（銦鎵磷）半導(dǎo)體生產(chǎn)。
※7. 乙硼烷（B2H6）
乙硼烷（diborane，B2H6）是硼氫化合物，無色有臭味氣體，是重要的半導(dǎo)體材料。主要用于聚合催化劑和還原劑及火箭推進劑等。易燃、易爆、劇毒。
※8. NSG（None-doped Silicate Glass）膜
不含磷和硼等不純物質(zhì)的二氧化矽（SiO2）膜。
※9. PSG（Phospho silicate glass）膜
含磷的矽氧化膜。
※10. BPSG（Boro-phospho silicate glass）膜
含硼和磷的矽氧化膜。
關(guān)于沖電氣工業(yè)株式會社(OKI)
沖電氣工業(yè)株式會社創(chuàng)立于1881年，是日本最早的電子通信設(shè)備生產(chǎn)廠家?？偣驹谌毡緰|京。 131年來，沖電氣秉承著創(chuàng)業(yè)以來的“進取的精神”，不斷開發(fā)并提供有助于資訊社會發(fā)展的產(chǎn)品。近年來，在品牌標(biāo)語“開啟您的夢想”(英文：Open up your dreams)的指引下，作為為所有利益相關(guān)者開啟夢想之門并實現(xiàn)其理想的企業(yè)，和被全世界各國客戶信賴的合作夥伴，努力實現(xiàn)持續(xù)性增長。詳細(xì)資料請參閱沖電氣中文網(wǎng)頁：http://www.oki.com/cn/。
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中國
沖電氣工業(yè)株式會社北京事務(wù)所
古川 裕一
電話: 010-5825-7700
E-mail: furukawa388@oki.com
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沖電氣工業(yè)株式會社創(chuàng)立于1881年，是日本最早的電子通信設(shè)備生產(chǎn)廠家?？偣驹谌毡緰|京。 130年來，沖電氣秉承著創(chuàng)業(yè)以來的“進取的精神”，不斷開發(fā)并提供有助于資訊社會發(fā)展的產(chǎn)品。近年來，在品牌標(biāo)語“開啟您的夢想”(英文：Open up your dreams)的指引下，作為為所有利益相關(guān)者開啟夢想之門并實現(xiàn)其理想的企業(yè)，和被全世界各國客戶信賴的合作夥伴，努力實現(xiàn)持續(xù)性增長。詳細(xì)資料請參閱沖電氣中文網(wǎng)頁： http://www.oki.com/cn/ 。Copyright 2013 ACN Newswire. All rights reserved.
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