[導讀]臺積電今年將大幅擴產28奈米(nm)制程產能。2012年臺積電靠著領先的28奈米技術，在晶圓代工市場打下漂亮一仗，營收及獲利皆屢創(chuàng)新高。邁入2013年，臺積電確信28奈米制程需求依然強勁，故預計將產能提高三倍，不予競爭
臺積電今年將大幅擴產28奈米(nm)制程產能。2012年臺積電靠著領先的28奈米技術，在晶圓代工市場打下漂亮一仗，營收及獲利皆屢創(chuàng)新高。邁入2013年，臺積電確信28奈米制程需求依然強勁，故預計將產能提高三倍，不予競爭對手可趁之機，同時也協(xié)助更多新客戶順利將晶片從40奈米轉進28奈米世代。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，拜行動通訊、電腦運算晶片加速制程微縮之賜，預期臺積電在2013年28奈米產能利用率仍將滿載，營收貢獻比重則可望突破30%，一舉超越40奈米的占比。因此，該公司今年規(guī)畫增加約10%資本設備支出(CAPEX)，全力沖刺28奈米產能。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，臺積電今年將有32%營收來自智慧型手機相關晶片生產業(yè)務。
事實上，2012年第一波28奈米制程商機幾乎由臺積電獨攬，因此，其整體毛利率及營業(yè)利益率均較2011年提高2.7%，銷售凈額也大幅成長18.5%，而其他營運目標也紛紛達陣甚至超前。2013年臺積電擴充三倍28奈米產能后，業(yè)界也認為將有效防堵格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、三星(Samsung)及聯(lián)電發(fā)動搶單攻勢，更加確立其晶圓代工龍頭寶座。
在此同時，臺積電今年也計畫提高研發(fā)費用至總營收8%比例，并馬不停蹄投入部署20奈米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)、16奈米鰭式電晶體(FinFET)、10奈米以下極紫外光微影(EUV)、18吋晶圓及2.5D/三維晶片(3D IC)的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)制程，以維持技術領先地位。
張忠謀透露，20奈米研發(fā)速度已超前當時28奈米的時程，2014年20奈米正式量產后，出貨量占比將優(yōu)于2012年的28奈米制程。另外，CoWoS制程也預計在2015?2016年放量，為臺積電挹注約10億美元的封裝業(yè)務營收貢獻。
至于市場關注的景氣問題，張忠謀認為，2013年半導體市場驅動力將來自美國，以及中國大陸等新興國家對行動通訊和工業(yè)標準產品的需求，總體產值可望比去年提升3%；其中，IC設計業(yè)成長率上看9%，而晶圓代工產業(yè)則有7%左右的增長空間，將成半導體產值成長兩大指標。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，拜行動通訊、電腦運算晶片加速制程微縮之賜，預期臺積電在2013年28奈米產能利用率仍將滿載，營收貢獻比重則可望突破30%，一舉超越40奈米的占比。因此，該公司今年規(guī)畫增加約10%資本設備支出(CAPEX)，全力沖刺28奈米產能。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，臺積電今年將有32%營收來自智慧型手機相關晶片生產業(yè)務。
事實上，2012年第一波28奈米制程商機幾乎由臺積電獨攬，因此，其整體毛利率及營業(yè)利益率均較2011年提高2.7%，銷售凈額也大幅成長18.5%，而其他營運目標也紛紛達陣甚至超前。2013年臺積電擴充三倍28奈米產能后，業(yè)界也認為將有效防堵格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、三星(Samsung)及聯(lián)電發(fā)動搶單攻勢，更加確立其晶圓代工龍頭寶座。
在此同時，臺積電今年也計畫提高研發(fā)費用至總營收8%比例，并馬不停蹄投入部署20奈米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)、16奈米鰭式電晶體(FinFET)、10奈米以下極紫外光微影(EUV)、18吋晶圓及2.5D/三維晶片(3D IC)的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)制程，以維持技術領先地位。
張忠謀透露，20奈米研發(fā)速度已超前當時28奈米的時程，2014年20奈米正式量產后，出貨量占比將優(yōu)于2012年的28奈米制程。另外，CoWoS制程也預計在2015?2016年放量，為臺積電挹注約10億美元的封裝業(yè)務營收貢獻。
至于市場關注的景氣問題，張忠謀認為，2013年半導體市場驅動力將來自美國，以及中國大陸等新興國家對行動通訊和工業(yè)標準產品的需求，總體產值可望比去年提升3%；其中，IC設計業(yè)成長率上看9%，而晶圓代工產業(yè)則有7%左右的增長空間，將成半導體產值成長兩大指標。
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