聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(19)日宣布,已順利驗證晶圓專工業(yè)界第一個結(jié)合12V解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程。聯(lián)電指出,此制程可將中大尺寸之觸控IC所需的驅(qū)動高壓,以及存放演算法所需的eFlash,結(jié)合于同一顆高整合度的單晶片中,并且有效地改善信噪比(SNR )。
與業(yè)界所提供的其他高壓選項(例如18V、24V或32V)相比,聯(lián)電表示,此12V解決方案在信噪比與耗電之間,提供了不錯的平衡。
聯(lián)電特殊技術開發(fā)處資深處長陳立哲表示,聯(lián)電建構(gòu)了完整的技術平臺,該平臺包含了尖端技術與客戶導向的特殊技術,并能充分滿足客戶廣泛應用產(chǎn)品的需求。而聯(lián)電作為第一家推出整合eFlash制程的12V至鋁制程A+平臺之晶圓專工公司,也讓其有能力掌握中大尺寸觸控面板快速成長的市場契機。
聯(lián)電強調(diào),公司現(xiàn)有0.18微米與0.11微米eFlash產(chǎn)品的成功經(jīng)驗,可說為此12V eFlash平臺的順利推出,打下了穩(wěn)固的基礎,并可借此協(xié)助客戶在蓬勃發(fā)展的觸控晶片市場中,加速產(chǎn)品上市時程,同時差異化其產(chǎn)品定位。而聯(lián)電現(xiàn)已大量出貨eFlash晶圓,數(shù)家晶片設計公司也已經(jīng)在其觸控螢幕產(chǎn)品上,采用并且驗證了聯(lián)電的12V eFlash解決方案。