康乃爾大學研究人員是在半導體研究協(xié)會(Semiconductor Research Corp.)支持下開發(fā)雷射尖峰退火(Laser-spike annealing,LSA)技術(shù)，已經(jīng)過193nm浸入式微影和13nm超紫外光(EUV)測試。目前，包括IBM、德州儀器(TI)、英特爾(Intel)、超微(AMD)、飛思卡爾(Freescale)和Globalfoundries等SRC的會員公司們都在考慮采用該技術(shù)。
“這種新的雷射技術(shù)為熱處理帶來了全新的突破，”康乃爾大學教授Christopher Ober說。“在晶圓廠中實現(xiàn)更快速、更高傳真度的圖案轉(zhuǎn)印，就意味著更好的晶片性能和更低的成本。”
今天，薄的光阻薄膜是透過對整個晶圓加熱一分鐘或更多使用熱板來退火。LSA能在毫秒級時間內(nèi)發(fā)出同樣的脈沖雷射束，進而大幅節(jié)省時間。研究人員所做的測試還透露，藉由烘烤方法的擴散會導致線粗糙度下降，從而獲得更高傳真度的微影圖案影像品質(zhì)。
由SRC資助、康乃爾大學開發(fā)的雷射尖峰退火系統(tǒng)使用了連續(xù)波雷射聚焦到線上，并在矽基板上掃描，能在以毫秒級時間達到熔化溫度，從而產(chǎn)生更高傳真度的電路圖案，而且比當前制程中的加熱板烘烤更方法更加快速。(資料來源：SRC /康乃爾)
傳統(tǒng)的烘烤溫度均在華氏300度以內(nèi)，以減少擴散。然而，基于雷射的退火技術(shù)可達到在毫秒內(nèi)達到華氏1,450度的高溫，進而大幅提高光阻靈敏度，同時最小化圖案粗糙度，康乃爾大學博士候選人Byungki Jung Ober說。
“下一步，我們預計改進的光阻，可進一步利用這種新技術(shù)的優(yōu)勢，”SRC的奈米制造科學總監(jiān)Bob Havemann說。
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