聯(lián)電攻20奈米 杠臺積 獲IBM技術(shù)授權(quán) 加速CMOS制程開發(fā)

晶圓雙雄爭搶20奈米地盤鳴槍起跑! 晶圓代工「二哥」聯(lián)電（2303）攻進(jìn)20奈米，昨（29）日宣布已取得IBM技術(shù)授權(quán)，將以FinFET 3D電晶體，促進(jìn)次世代先進(jìn)20奈米CMOS制程開發(fā)，與最快年底試產(chǎn)的臺積互別苗頭。

聯(lián)電昨天下午宣布已取得IBM所授權(quán)技術(shù)，這項(xiàng)好消息也反映在股價上，昨天股價一路放量攻高，終場收在漲停價12.9元，單日成交量更放大至7萬張以上。


聯(lián)電指出，據(jù)雙方協(xié)議，IBM將授權(quán)其20奈米設(shè)計套件以及FinFET技術(shù)給聯(lián)電，聯(lián)電將可運(yùn)用這些技術(shù)，加快推出這些制程給客戶采用的時程，對于公司財務(wù)、業(yè)務(wù)將具正面助益。

聯(lián)電先進(jìn)技術(shù)開發(fā)副總陳一浸表示，聯(lián)電身為全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者，必須掌握先機(jī)適時推出尖端制程，以協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)其次世代晶片設(shè)計。借重IBM的專業(yè)技術(shù)來縮減聯(lián)電20奈米與FinFET研發(fā)周期，將為該公司與客戶創(chuàng)造雙贏。這項(xiàng)研發(fā)將在聯(lián)電位于南科的研發(fā)中心進(jìn)行。

聯(lián)電與IBM兩家公司的協(xié)議內(nèi)容包括IBM的20奈米CMOS與FinFET技術(shù)，聯(lián)電指出，內(nèi)部自行研發(fā)的20奈米平面（planar）制程，將與IBM的設(shè)計規(guī)則與制程／元件目標(biāo)同步，未來FinFET技術(shù)將針對行動運(yùn)算與通訊產(chǎn)品，做為更強(qiáng)化的低耗電技術(shù)選項(xiàng)。

聯(lián)電表示，28奈米制程才正要量產(chǎn)，在取得IBM技術(shù)授權(quán)后，將可加速20奈米制程開發(fā)時程，但目前并沒有時間表，整體試量產(chǎn)時間還要視客戶端需求而定。

隨著聯(lián)電宣布投入20奈米與3D IC研發(fā)，代表晶圓雙雄的戰(zhàn)場又將由28奈米制程延伸到20奈米。

為擴(kuò)大28奈米制程的領(lǐng)先優(yōu)勢，并提前跨入20奈米制程，臺積電已于4月底宣布拉高資本支出至80億元到85億美元，預(yù)期臺積電的20奈米制程最快可在今年底、明年初試產(chǎn)，并于明年底、后年初正式量產(chǎn)，拉大與競爭對手的差距。

【記者謝佳雯／臺北報導(dǎo)】