意法半導體委托GLOBALFOUNDRIES代工28nm和20nmFD-SOI芯片

意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的FD-SOI（FullyDepletedSilicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設備廠商滿足消費者這些需求的努力中，意法半導體的FD-SOI芯片的量產和上市將起到至關重要的作用。

多媒體融合應用需要性能和能效兼?zhèn)涞?strong>半導體技術。隨著芯片外觀尺寸不斷縮小，傳統(tǒng)技術無法使晶體管的性能和電池壽命同時達到最高水準，無法在實現(xiàn)最優(yōu)性能的同時確保溫度不超過安全限制。解決之道是采用FD-SOI技術，該技術兼?zhèn)渥罡咝阅?、低工作功耗（在各種應用中，降低電源功率后還能保持良好的性能）和低待機功耗。

憑借其注重成本效益的平面型FD-SOI技術，意法半導體率先推出了28納米的全耗盡型器件，遙遙領先競爭對手。為FD-SOI貨源提供雙重保障，意法半導體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協(xié)議，以補充意法半導體位于法國Crolles工廠的產能。28n納米FD-SOI器件目前已商用化，預計于2012年7月前投入原型設計；而20納米FD-SOI器件目前處于研發(fā)階段，預計2013年第三季度投入原型設計。

意法半導體的FD-SOI技術已被ST-Ericsson用于下一代移動平臺，這項技術將使ST-Ericsson的NovaThor平臺具有更高的性能和更低的功耗，在發(fā)揮最高性能的時候可降低功耗達35%。

意法半導體計劃向GLOBALFOUNDRIES的其它客戶開放FD-SOI技術，讓他們能夠使用目前最先進的28納米和20納米技術研發(fā)產品。