定向自組裝來了！ IMEC推DSA制程
[導(dǎo)讀]位于比利時魯汶的歐洲研究機(jī)構(gòu) IMEC 日前公布了定向自組裝(directed self-assembly, DSA)制程，據(jù)稱能改善光學(xué)與超紫外光微影技術(shù)，并已在IMEC 試點(diǎn)晶圓廠中安裝了300mm相容的生產(chǎn)線。
IMEC預(yù)計在今年2月12~16日于美
位于比利時魯汶的歐洲研究機(jī)構(gòu) IMEC 日前公布了定向自組裝(directed self-assembly, DSA)制程，據(jù)稱能改善光學(xué)與超紫外光微影技術(shù)，并已在IMEC 試點(diǎn)晶圓廠中安裝了300mm相容的生產(chǎn)線。
IMEC預(yù)計在今年2月12~16日于美國加州舉辦的SPIE先進(jìn)微影大會中，公布如何成功實(shí)現(xiàn)DSA技術(shù)的細(xì)節(jié)。
DSA是運(yùn)用材料內(nèi)部的自然機(jī)制來產(chǎn)生有序結(jié)構(gòu)。在這些材料內(nèi)部的自然機(jī)制中，如在高分子材料中形成的條紋狀結(jié)構(gòu)，可透過改變化學(xué)成份來適當(dāng)?shù)卣{(diào)整，使其實(shí)現(xiàn)奈米級功能，進(jìn)而能被用來強(qiáng)化光學(xué)和超紫外光(EUV)微影。
IMEC是透過和美國威斯康辛大學(xué)(University of Wisconsin)、AZ Electronic Materials和Tokyo Electron Ltd.公司合作，完成了從實(shí)驗(yàn)室到相容于晶圓廠流程的DSA制程。此一合作的主要目的，是要讓DSA達(dá)到可量產(chǎn)的目標(biāo)。
定向自組裝(DSA)DSA是圖形技術(shù)的替代選項(xiàng)之一，它可藉由使用嵌段共聚物(block copolymer)來實(shí)現(xiàn)倍頻。當(dāng)以適當(dāng)?shù)念A(yù)圖形模式連結(jié)時，便可直接指示圖案方向，整體而言，DSA有于減少最終印刷結(jié)構(gòu)的間距。此外，DSA也能用于修復(fù)缺陷和修復(fù)原有印刷使其更加均勻。
在結(jié)合EUV微影技術(shù)后，這種修復(fù)功能便顯得更加有用處，因?yàn)樗茉陉P(guān)鍵尺寸(critical dimensions)中由區(qū)域性變異(local variation)加以表征。
上圖顯示以80nm間距預(yù)圖形為基礎(chǔ)，運(yùn)用193nm浸入式微影技術(shù)，在移除PMMA后，透過DSA在28nm間距上形成的14nm聚苯乙烯線(polystyrene lines)，并同時展示了在預(yù)圖形(右)修復(fù)200nm間隙的能力。 (資料來源：IMEC)
IMEC目使用一部來自Tokyo Electron的DSA涂布/顯影機(jī)，以及用于無塵室內(nèi)，為晶片制造商提供的DSA材料和圖案轉(zhuǎn)移與計量系統(tǒng)。該無塵室內(nèi)部還設(shè)置了248nm和193nm的干式和浸入式光學(xué)波長掃描器，以及EUV微影設(shè)備。
“此次發(fā)布的DSA制程，讓我們得以再次向193nm浸入式微影技術(shù)的極限推進(jìn)，并克服了部份EUV微影技術(shù)的關(guān)鍵問題。同時，這也讓我們能夠再次挑戰(zhàn)摩爾定律的極限，”IMEC微影總監(jiān)Kurt Ronse在一份聲明中表示。
而在同一份聲明中，威斯康辛大學(xué)教授Paul Nealey指出，“Juan de Pablo和我，以及威斯康辛大學(xué)的團(tuán)隊都很高興有機(jī)會與和IMEC合作。我們的合作展現(xiàn)了前所未有的成果，成功整合了DSA技術(shù)和相關(guān)的制造工具以及材料，讓大家知道DSA不僅限于學(xué)術(shù)研究，它還具備極大應(yīng)用潛力，同時也為我們的學(xué)生提供了更多學(xué)習(xí)機(jī)會。我們很高興能與IMEC合作，推動這個我們已經(jīng)投入15年時間進(jìn)行研究的技術(shù)邁向商業(yè)化?！?br>
這項(xiàng)研究是IMEC先進(jìn)微影計劃的一部份，現(xiàn)已能提供給該機(jī)構(gòu)的核心CMOS合作夥伴，包括Globalfoundries、英特爾(Intel)、美光(Micron)、松下(Panasonic)、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)、爾必達(dá)(Elpida)、Hynix、富士通(Fujitsu)和索尼(Sony)。
編譯： Joy Teng
(參考原文： IMEC announces directed self-assembly process line ，by Peter Clarke)
IMEC預(yù)計在今年2月12~16日于美國加州舉辦的SPIE先進(jìn)微影大會中，公布如何成功實(shí)現(xiàn)DSA技術(shù)的細(xì)節(jié)。
DSA是運(yùn)用材料內(nèi)部的自然機(jī)制來產(chǎn)生有序結(jié)構(gòu)。在這些材料內(nèi)部的自然機(jī)制中，如在高分子材料中形成的條紋狀結(jié)構(gòu)，可透過改變化學(xué)成份來適當(dāng)?shù)卣{(diào)整，使其實(shí)現(xiàn)奈米級功能，進(jìn)而能被用來強(qiáng)化光學(xué)和超紫外光(EUV)微影。
IMEC是透過和美國威斯康辛大學(xué)(University of Wisconsin)、AZ Electronic Materials和Tokyo Electron Ltd.公司合作，完成了從實(shí)驗(yàn)室到相容于晶圓廠流程的DSA制程。此一合作的主要目的，是要讓DSA達(dá)到可量產(chǎn)的目標(biāo)。
定向自組裝(DSA)DSA是圖形技術(shù)的替代選項(xiàng)之一，它可藉由使用嵌段共聚物(block copolymer)來實(shí)現(xiàn)倍頻。當(dāng)以適當(dāng)?shù)念A(yù)圖形模式連結(jié)時，便可直接指示圖案方向，整體而言，DSA有于減少最終印刷結(jié)構(gòu)的間距。此外，DSA也能用于修復(fù)缺陷和修復(fù)原有印刷使其更加均勻。
在結(jié)合EUV微影技術(shù)后，這種修復(fù)功能便顯得更加有用處，因?yàn)樗茉陉P(guān)鍵尺寸(critical dimensions)中由區(qū)域性變異(local variation)加以表征。
上圖顯示以80nm間距預(yù)圖形為基礎(chǔ)，運(yùn)用193nm浸入式微影技術(shù)，在移除PMMA后，透過DSA在28nm間距上形成的14nm聚苯乙烯線(polystyrene lines)，并同時展示了在預(yù)圖形(右)修復(fù)200nm間隙的能力。 (資料來源：IMEC)
IMEC目使用一部來自Tokyo Electron的DSA涂布/顯影機(jī)，以及用于無塵室內(nèi)，為晶片制造商提供的DSA材料和圖案轉(zhuǎn)移與計量系統(tǒng)。該無塵室內(nèi)部還設(shè)置了248nm和193nm的干式和浸入式光學(xué)波長掃描器，以及EUV微影設(shè)備。
“此次發(fā)布的DSA制程，讓我們得以再次向193nm浸入式微影技術(shù)的極限推進(jìn)，并克服了部份EUV微影技術(shù)的關(guān)鍵問題。同時，這也讓我們能夠再次挑戰(zhàn)摩爾定律的極限，”IMEC微影總監(jiān)Kurt Ronse在一份聲明中表示。
而在同一份聲明中，威斯康辛大學(xué)教授Paul Nealey指出，“Juan de Pablo和我，以及威斯康辛大學(xué)的團(tuán)隊都很高興有機(jī)會與和IMEC合作。我們的合作展現(xiàn)了前所未有的成果，成功整合了DSA技術(shù)和相關(guān)的制造工具以及材料，讓大家知道DSA不僅限于學(xué)術(shù)研究，它還具備極大應(yīng)用潛力，同時也為我們的學(xué)生提供了更多學(xué)習(xí)機(jī)會。我們很高興能與IMEC合作，推動這個我們已經(jīng)投入15年時間進(jìn)行研究的技術(shù)邁向商業(yè)化?！?br>
這項(xiàng)研究是IMEC先進(jìn)微影計劃的一部份，現(xiàn)已能提供給該機(jī)構(gòu)的核心CMOS合作夥伴，包括Globalfoundries、英特爾(Intel)、美光(Micron)、松下(Panasonic)、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)、爾必達(dá)(Elpida)、Hynix、富士通(Fujitsu)和索尼(Sony)。
編譯： Joy Teng
(參考原文： IMEC announces directed self-assembly process line ，by Peter Clarke)
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