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[導(dǎo)讀](中央社記者張建中新竹2011年12月18日電)3D IC發(fā)展趨勢成形,國內(nèi)外半導(dǎo)體廠紛紛展開跨領(lǐng)域合作布局。國內(nèi)2大晶圓代工廠臺積電(2330)及聯(lián)電(2303)同時與國外動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)廠結(jié)盟合作。 3D IC技術(shù)難度高

(中央社記者張建中新竹2011年12月18日電)3D IC發(fā)展趨勢成形,國內(nèi)外半導(dǎo)體廠紛紛展開跨領(lǐng)域合作布局。國內(nèi)2大晶圓代工廠臺積電(2330)及聯(lián)電(2303)同時與國外動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)廠結(jié)盟合作。

3D IC技術(shù)難度高,臺積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義曾預(yù)期,邏輯IC的3D封裝因顆粒小,且有散熱等相關(guān)問題,5年內(nèi)將不會發(fā)生。

盡管短期內(nèi)3D IC技術(shù)難以成熟,達(dá)到量產(chǎn)階段,國內(nèi)外半導(dǎo)體廠仍積極展開布局,以免錯失未來3D IC市場商機。

除全球晶片龍頭英特爾(Intel)與工研院合作3D IC架構(gòu)且具低功耗特性的記憶體技術(shù)外,美國技術(shù)授權(quán)廠商Rambus也與工研院合作開發(fā)3D封裝技術(shù)。

聯(lián)電更于2010年便與記憶體封測廠力成(6239)及日本記憶體大廠爾必達(dá)(Elpida)展開跨領(lǐng)域策略技術(shù)合作,針對28奈米制程,進行3D IC整合開發(fā)。

聯(lián)電、力成及爾必達(dá)等3方合作,初期將投入堆疊邏輯及DRAM的產(chǎn)品開發(fā),未來將進一步投入整合射頻、快閃記憶體及DRAM等更先進產(chǎn)品開發(fā)。

面對媒體詢問英特爾與工研院的合作,臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀也不甘示弱的表示,臺積電已與國外有技術(shù)且規(guī)模大的DRAM廠合作達(dá)2年。

臺積電目前已可提供客戶以矽取代PC板的2.5D產(chǎn)品技術(shù)樣品,預(yù)計2013年可小量生產(chǎn),2014年放量。

聯(lián)電臺積電紛紛與DRAM廠就3D IC展開合作來看,顯見DRAM是未來3D IC產(chǎn)品重要的關(guān)鍵技術(shù)之一,也難怪力晶科技(5346)堅持不愿完全退出DRAM市場。

力晶科技董事長黃崇仁雖公開向外界強調(diào),力晶已不再是標(biāo)準(zhǔn)DRAM廠,而是代工、多元化記憶體技術(shù)廠;不過,黃崇仁表示,DRAM是未來3D IC產(chǎn)品不可或缺的技術(shù),力晶仍將繼續(xù)生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品。

利基型記憶體廠鈺創(chuàng)科技(5351)董事長盧超群也看好記憶體未來發(fā)展前景,他預(yù)期,5年后記憶體產(chǎn)品市場占整體半導(dǎo)體業(yè)比重,將逾3成。

盧超群同時對國內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)提出建言,業(yè)者在面對當(dāng)前產(chǎn)業(yè)景氣寒冬時,可縮小規(guī)模,專注客戶需求的產(chǎn)品市場,畢竟沒被「殲滅」,未來就還有機會。3D IC能否為未來國內(nèi)DRAM廠帶來轉(zhuǎn)機,值得觀察。



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