[導(dǎo)讀]28奈米(nm)先進(jìn)制程將為臺積電2012年營收成長新亮點。臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀在第三季法說會中表示，28奈米制程需求持續(xù)勁揚，將為臺積電挹注大量營收成長動能，至2012年底28奈米營收可望占總體10%以上，為臺積
28奈米(nm)先進(jìn)制程將為臺積電2012年營收成長新亮點。臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀在第三季法說會中表示，28奈米制程需求持續(xù)勁揚，將為臺積電挹注大量營收成長動能，至2012年底28奈米營收可望占總體10%以上，為臺積電引來“春燕”。
張忠謀指出，2011年在歐美債信危機及日本311大地震沖擊供應(yīng)鏈常態(tài)下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長率已從年初預(yù)估的5%一路下砍到1%；而晶圓代工也僅有4%。然而，隨著第四季末全球半導(dǎo)體庫存消化觸及終點，需求可望反彈而啟動新循環(huán)，故明年仍看好有3～5%的成長空間。事實上，以臺積電為例，因第三季庫存調(diào)節(jié)力道強勁，庫存天數(shù)(DoI)已從53天降至45天的正常水位，產(chǎn)能利用率已見回升跡象。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀指出，臺積電在太陽能及LED方面也持續(xù)投資新技術(shù)，未來若市場需求走揚，也將投入大筆資金擴充產(chǎn)能。
除供應(yīng)鏈需求可望復(fù)蘇，在行動裝置出貨量持續(xù)暴漲之下，更激勵晶片商加碼投資28奈米制程晶片。張忠謀透露，截至第三季為止，28奈米制程已占臺積電總營收0.5%，預(yù)估年底占比將可再提升至2%，而明年經(jīng)過一整年的沖刺后，也可望達(dá)成總營收占比一成以上的亮眼佳績。
張忠謀進(jìn)一步強調(diào)，臺積電28奈米的成長曲線的確比先前40奈米跑得更快，尤其在技術(shù)優(yōu)于其他同業(yè)之下，目前28奈米產(chǎn)線幾近滿載，且明年庫存消化完畢后需求反彈，更將挹注大量營收成長動能；故樂觀來看，臺積電明年成長將優(yōu)于全球半導(dǎo)體3～5%成長率幾個百分點。不過，他也提醒，由于第一季通常被視為淡季，故要到3、4月后才能看到較明顯的景氣回溫態(tài)勢。
張忠謀表示，今年第四季臺積電的產(chǎn)能利用率及毛利率將雙雙回升，因而更有信心擴張28奈米產(chǎn)能，明年3月后，位于臺中的Fab15廠即會與目前的Fab12廠共同承接28奈米訂單，預(yù)計明年底Fab15廠的月產(chǎn)能將擴充達(dá)2.4萬片12寸約當(dāng)晶圓，撐大臺積電28奈米訂單吞吐量。
另一方面，臺積電在與安謀國際(ARM)攜手完成首件采用20奈米制程生產(chǎn)的Cortex-A15處理器設(shè)計定案(Tape Out)后，對于20奈米制程于2013年正式邁入量產(chǎn)的進(jìn)度也深具信心，等同于宣告臺積電未來在先進(jìn)制程技術(shù)上仍持續(xù)居于領(lǐng)先地位。
張忠謀更透露，臺積電瞄準(zhǔn)未來三維晶片(3D IC)的矽穿孔(TSV)制程亦已展開緊鑼密鼓的布局，并計劃打造名為CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)的整套TSV流程，整合晶圓鍵合(Wafer Bonding)、薄晶圓(Wafer Thinning)、晶片基板鍵合(Chip on Substrate)及晶片封測等技術(shù)，將各種邏輯和記憶體晶片精準(zhǔn)疊合。
據(jù)了解，該計劃目前除已與動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)業(yè)者談好合作方案，后續(xù)針對各個技術(shù)流程的設(shè)備投資亦已箭在弦上。
張忠謀指出，2011年在歐美債信危機及日本311大地震沖擊供應(yīng)鏈常態(tài)下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長率已從年初預(yù)估的5%一路下砍到1%；而晶圓代工也僅有4%。然而，隨著第四季末全球半導(dǎo)體庫存消化觸及終點，需求可望反彈而啟動新循環(huán)，故明年仍看好有3～5%的成長空間。事實上，以臺積電為例，因第三季庫存調(diào)節(jié)力道強勁，庫存天數(shù)(DoI)已從53天降至45天的正常水位，產(chǎn)能利用率已見回升跡象。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀指出，臺積電在太陽能及LED方面也持續(xù)投資新技術(shù)，未來若市場需求走揚，也將投入大筆資金擴充產(chǎn)能。
除供應(yīng)鏈需求可望復(fù)蘇，在行動裝置出貨量持續(xù)暴漲之下，更激勵晶片商加碼投資28奈米制程晶片。張忠謀透露，截至第三季為止，28奈米制程已占臺積電總營收0.5%，預(yù)估年底占比將可再提升至2%，而明年經(jīng)過一整年的沖刺后，也可望達(dá)成總營收占比一成以上的亮眼佳績。
張忠謀進(jìn)一步強調(diào)，臺積電28奈米的成長曲線的確比先前40奈米跑得更快，尤其在技術(shù)優(yōu)于其他同業(yè)之下，目前28奈米產(chǎn)線幾近滿載，且明年庫存消化完畢后需求反彈，更將挹注大量營收成長動能；故樂觀來看，臺積電明年成長將優(yōu)于全球半導(dǎo)體3～5%成長率幾個百分點。不過，他也提醒，由于第一季通常被視為淡季，故要到3、4月后才能看到較明顯的景氣回溫態(tài)勢。
張忠謀表示，今年第四季臺積電的產(chǎn)能利用率及毛利率將雙雙回升，因而更有信心擴張28奈米產(chǎn)能，明年3月后，位于臺中的Fab15廠即會與目前的Fab12廠共同承接28奈米訂單，預(yù)計明年底Fab15廠的月產(chǎn)能將擴充達(dá)2.4萬片12寸約當(dāng)晶圓，撐大臺積電28奈米訂單吞吐量。
另一方面，臺積電在與安謀國際(ARM)攜手完成首件采用20奈米制程生產(chǎn)的Cortex-A15處理器設(shè)計定案(Tape Out)后，對于20奈米制程于2013年正式邁入量產(chǎn)的進(jìn)度也深具信心，等同于宣告臺積電未來在先進(jìn)制程技術(shù)上仍持續(xù)居于領(lǐng)先地位。
張忠謀更透露，臺積電瞄準(zhǔn)未來三維晶片(3D IC)的矽穿孔(TSV)制程亦已展開緊鑼密鼓的布局，并計劃打造名為CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)的整套TSV流程，整合晶圓鍵合(Wafer Bonding)、薄晶圓(Wafer Thinning)、晶片基板鍵合(Chip on Substrate)及晶片封測等技術(shù)，將各種邏輯和記憶體晶片精準(zhǔn)疊合。
據(jù)了解，該計劃目前除已與動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)業(yè)者談好合作方案，后續(xù)針對各個技術(shù)流程的設(shè)備投資亦已箭在弦上。
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