降低先進(jìn)制程缺陷　無(wú)研磨粒CMP方案抬頭

時(shí)間：2011-09-12 07:41:00

關(guān)鍵字：先進(jìn)制程元件 VISION LM

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[導(dǎo)讀]陶氏化學(xué)(Dow Chemical)旗下之陶氏電子材料于日前發(fā)表最新化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)銅制程，全新制程結(jié)合陶氏化學(xué)獨(dú)家RL3100無(wú)研磨粒、自停(Self-stopping)機(jī)制，以及VisionPad 5000 研磨墊，提供CMP銅制程高效能、低成本且

陶氏化學(xué)(Dow Chemical)旗下之陶氏電子材料于日前發(fā)表最新化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)銅制程，全新制程結(jié)合陶氏化學(xué)獨(dú)家RL3100無(wú)研磨粒、自停(Self-stopping)機(jī)制，以及VisionPad 5000 研磨墊，提供CMP銅制程高效能、低成本且高良率的解決方案。

陶氏電子材料CMP研磨液研發(fā)總監(jiān)余維中表示，根據(jù)摩爾定律，半導(dǎo)體元件微縮需要全新的CMP制程方案，以因應(yīng)主要的制造挑戰(zhàn)。該公司的研究與應(yīng)用團(tuán)隊(duì)直接與客戶合作，確保新的CMP解決方案，符合IC制造商對(duì)下一世代元件的需求。此一全新無(wú)研磨粒CMP制程是以此需求為發(fā)展基礎(chǔ)。由于其可提供顯著的制程優(yōu)勢(shì)及成本效益，已引起業(yè)界極大的關(guān)注。

據(jù)了解，陶氏的RL3100+VisionPad 5000研磨墊CMP銅制程具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì)，包括在不同的線寬與線譜密度下，均可產(chǎn)生Low-dishing及No-erosion的顯著優(yōu)勢(shì)，且高銅研磨速率(High Cu Rate)、晶圓表面銅的清除能力(Clearing)、更具有對(duì)于阻絕層(Barrier Film)與介電層(Dielectric Film)的極高選擇比。另外，還具有高良率、嚴(yán)格的Rs控制、高產(chǎn)能，以及寬大的制程窗口。

余維中指出，含有研磨粒的研磨液，一般會(huì)形成Erosion或刮痕(Scratching)，RL3100獨(dú)特的無(wú)研磨粒特性可以將缺陷降到最低，以達(dá)成更高的良率。此外RL3100的稀釋能力，減免研磨墊的清洗及研磨墊Conditioning的減低，進(jìn)而增加研磨墊的使用壽命，這些都是RL3100提供低成本的解決方案。

經(jīng)實(shí)際生產(chǎn)測(cè)試，陶氏的獨(dú)家無(wú)研磨粒解決方案科已獲90～45奈米12寸晶圓高產(chǎn)量制造商采用超過(guò)3年。同時(shí)，此一新世代無(wú)研磨粒解決方案也被領(lǐng)先的整合元件制造商(IDM)選為14奈米節(jié)點(diǎn)的記錄制程(Process of Record)，以及獲得主要晶圓代工廠選為28奈米的矽穿孔(TSV)制程。