美格納宣布提供三重電壓10V CMOS制程應(yīng)用于高效能混合產(chǎn)品

時(shí)間：2011-09-07 07:31:00

關(guān)鍵字： CMOS 電壓半導(dǎo)體晶片

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[導(dǎo)讀]南韓專業(yè)于研發(fā)制造數(shù)位類比訊號(hào)產(chǎn)品的半導(dǎo)體大廠美格納，今宣布將提供三重電壓制程來整合晶片外的高壓電路至標(biāo)準(zhǔn)雙匣極制程以應(yīng)用于高效能混合訊號(hào)產(chǎn)品。該三重電壓制程之創(chuàng)舉為：將不需額外加層的CMOS電晶體設(shè)計(jì)嵌

南韓專業(yè)于研發(fā)制造數(shù)位類比訊號(hào)產(chǎn)品的半導(dǎo)體大廠美格納，今宣布將提供三重電壓制程來整合晶片外的高壓電路至標(biāo)準(zhǔn)雙匣極制程以應(yīng)用于高效能混合訊號(hào)產(chǎn)品。該三重電壓制程之創(chuàng)舉為：將不需額外加層的CMOS電晶體設(shè)計(jì)嵌入標(biāo)準(zhǔn)1.8V/5V及1.8V/3.3V CMOS 制程。
新CMOS 電晶體之最大匣極操作電壓可達(dá)7V，汲極操作電壓可達(dá)10V，同時(shí)Breakdown電壓可超過17V。此制程可完全相容于標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制程而且不需變更任何制程或額外增加光罩。

新電晶體的導(dǎo)通電阻低于傳統(tǒng)的高壓電晶體，包括通常擔(dān)任高電阻路徑至汲極接點(diǎn)的載體EDMOS和LDMOS。低導(dǎo)體電阻及高breakdown電壓能使IC設(shè)計(jì)更有彈性的將模擬開關(guān)和功率放大器等高效能混合訊號(hào)產(chǎn)品整合在1個(gè)晶片上。

美格納技術(shù)工程部副總TaeJong Lee 表示：「我們非常開心的宣布即將供應(yīng)三重電壓10V制程以應(yīng)用在混合訊號(hào)產(chǎn)品上。此制程和已量產(chǎn)之三匣極制程及超低噪音制程，為我們成為獨(dú)特混合訊號(hào)制程的領(lǐng)導(dǎo)者邁進(jìn)一大步。我們會(huì)持續(xù)提供更多制程解決方案以滿足我們晶圓代工客戶特殊應(yīng)用需求。」

關(guān)于美格納半導(dǎo)體

總公司位于南韓的美格納半導(dǎo)體是1個(gè)專業(yè)數(shù)位類比混合訊號(hào)之半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及代工廠。美格納擁有廣大的數(shù)位類比混合訊號(hào)制程平臺(tái)，并有超過30年相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，具多項(xiàng)專利、工程資源及專業(yè)制程。