SEMI：2011年晶圓廠設(shè)備支出將創(chuàng)新高紀(jì)錄

時(shí)間：2011-06-10 05:52:00

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[導(dǎo)讀]SEMI公布最新全球晶圓廠資料庫(SEMI World Fab Database)，預(yù)估2011年半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出及產(chǎn)能將分別成長31%與9%，但今年和明年的建廠支出則下調(diào)。 SEMI產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出：「2011年將是晶圓廠設(shè)備支出

SEMI公布最新全球晶圓廠資料庫(SEMI World Fab Database)，預(yù)估2011年半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出及產(chǎn)能將分別成長31%與9%，但今年和明年的建廠支出則下調(diào)。
SEMI產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出：「2011年將是晶圓廠設(shè)備支出創(chuàng)新紀(jì)錄的一年。2月以來，許多公司增加資本支出，因此，2011年的晶圓廠相關(guān)設(shè)備支出可望達(dá)到440億美元的史上最高金額。盡管2012年支出可能會(huì)略微下滑6%至410億美元，但這仍然位居史上第二高額的紀(jì)錄?！谷欢?，受到產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能計(jì)畫的潛在影響，2012年后的新建晶圓廠的數(shù)量將達(dá)到歷史新低。

SEMI預(yù)估有17座新晶圓廠(含13座LED廠)將于今年開始建置(機(jī)率>60%)。然而，若不含LED新廠計(jì)畫，今年以及明年都只有4座(量產(chǎn))新廠開始動(dòng)工。整體而言，2011及2012年的建廠支出將趨緩。 (參考下表二)

今年日本311大地震短期可能會(huì)影響到產(chǎn)能利用率以及產(chǎn)出，但對于整體產(chǎn)能影響有限。近期晶圓廠產(chǎn)能(不包括離散元件)每年都以低于10%的速度穩(wěn)步成長。

在產(chǎn)能方面， SEMI 預(yù)估2011年全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能可望成長9%，2012年則再攀升7%。 2010年晶圓代工廠的產(chǎn)能成長率超越記憶體晶圓廠，而這個(gè)走勢將延續(xù)到2011年，預(yù)估晶圓廠產(chǎn)能今年將成長13%，而記憶體廠產(chǎn)能則成長8%。

另一方面， LED 晶圓廠的產(chǎn)能持續(xù)以兩位數(shù)成長， 2011年LED 廠的產(chǎn)能預(yù)估成長超過40%，然而2012年的產(chǎn)能成長將稍微回檔。整體看來，今年記憶體廠的產(chǎn)能依舊領(lǐng)先，占全球產(chǎn)能38%，其次是晶圓代工廠，約占29%。

半導(dǎo)體設(shè)備支出(新采購和二手設(shè)備)包含離散元件(依晶圓尺寸分)

建廠支出