窺看國內(nèi)晶圓代工大亨下一步要干啥
[導(dǎo)讀]作為大陸第一家8英寸晶圓廠，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)在國內(nèi)專業(yè)集成電路晶圓代工方面有著非常成熟的經(jīng)驗(yàn)。通過近期華虹NEC在深圳舉辦的2011年全球巡回技術(shù)研討會(huì)(深圳站)，《電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)》小
作為大陸第一家8英寸晶圓廠，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)在國內(nèi)專業(yè)集成電路晶圓代工方面有著非常成熟的經(jīng)驗(yàn)。通過近期華虹NEC在深圳舉辦的2011年全球巡回技術(shù)研討會(huì)(深圳站)，《電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)》小編和來自深圳地區(qū)的百余名IC設(shè)計(jì)企業(yè)人士，深入交流并分享了華虹NEC最新的技術(shù)成果和發(fā)展藍(lán)圖。通過這次研討會(huì)我們來看看這位晶圓代工大亨下一步有什么動(dòng)態(tài)。
本次研討會(huì)的主題是“Unleash Your Success with Our Specialty Technology”,華虹NEC總裁兼CEO邱慈云博士在歡迎致辭上回顧了華虹NEC在過去幾年所取得的成績，同時(shí)感謝所有客戶和合作伙伴長期以來對華虹NEC的大力支持。銷售與市場副總裁高峰先生介紹了公司的市場定位和發(fā)展策略。據(jù)了解，華虹NEC 2010年的業(yè)績較2009年增長超過了50%，產(chǎn)能利用率超過100%。特別是智能卡和功率類半導(dǎo)體出貨量及銷售額都刷新了歷史紀(jì)錄。預(yù)計(jì)2011年銷售業(yè)績將會(huì)有更大增長。
華虹NEC總裁兼CEO邱慈云博士。
來自華虹NEC的技術(shù)專家，在研討會(huì)上重點(diǎn)介紹了公司先進(jìn)的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器平臺(tái)、功率分立器件技術(shù)、模擬/電源管理IC工藝平臺(tái)以及華虹NEC面向客戶需求的設(shè)計(jì)服務(wù)概覽。邱慈云博士在研討會(huì)上說：“華虹NEC自成立以來，始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新，堅(jiān)持從市場需求出發(fā)，開發(fā)新技術(shù)和新產(chǎn)品，我們在工藝方面的投資、研發(fā)是持續(xù)的”。此外，華虹NEC特邀的合作伙伴還在研討會(huì)上展示了包括IP、設(shè)計(jì)服務(wù)、掩模版制造服務(wù)以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化等。
工藝平臺(tái)路線圖。
從上面我們可以看到華虹NEC特色工藝代工技術(shù)平臺(tái)可以分為五大塊：嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(Embedded Non-Volatile Menmory)、功率分立器件(Discrete Device)、模擬/電源管理IC(Analog & Power Management IC)、射頻(RF SiGe BiCOMOS)、高壓(HV CMOS)。華虹NEC在國內(nèi)智能卡代工領(lǐng)域長期保持主導(dǎo)地位，超過7成的二代身 份證、電信卡、社保卡以及電子網(wǎng)銀(USB-Key)、銀 行卡都是由華虹NEC負(fù)責(zé)生產(chǎn)制造。值得一提的是由華虹NEC制造的SIM卡芯片，占據(jù)著全球四分之一的市場份額。從路線圖我們看到，華虹NEC近期將推出的工藝有諸如：在eOTP/MTP中即將推出0.13um OTP (1.8V/6V/32V)、eEEPROM的 0.13um LVt等。
據(jù)銷售與市場副總裁高峰透露，與華虹NEC合作的6個(gè)客戶已經(jīng)成功上市。高峰更是信心十足地表示，未來將會(huì)有更多的合作公司成功上市。
華虹NEC近日與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)成功進(jìn)入量產(chǎn)，成為國內(nèi)第一家提供此類工藝代工的8英寸廠家。這標(biāo)志著華虹NEC已成功邁入IGBT代工領(lǐng)域。
在功率分立器件領(lǐng)域，華虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服務(wù)的8英寸晶圓廠，也是世界上出貨量最大的廠家。截至目前，分立器件累計(jì)出貨超過200萬片8寸晶圓，以一片晶圓兩萬顆芯片計(jì)，累積出貨超過400億顆芯片。自2009年以來，華虹NEC連續(xù)推出了溝槽400-700V高壓MOSFET工藝平臺(tái)和600-700V超級結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET。此次推出的1200V IGBT標(biāo)志著華虹NEC在功率器件領(lǐng)域的又一個(gè)突破，同時(shí)，華虹NEC正在開發(fā)的國際領(lǐng)先的1700V到6500V高功率IGBT工藝平臺(tái)，預(yù)計(jì)將在2012年到2013年陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)。該技術(shù)的產(chǎn)品非常適合用于新能源汽車、家用電器、微波爐、風(fēng)電、太陽能逆變器、機(jī)車拖動(dòng)、電網(wǎng)傳輸?shù)裙?jié)能減排應(yīng)用。
在2011年，華虹NEC還將繼續(xù)提升嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，使其繼續(xù)保持全球業(yè)界領(lǐng)先地位，并攜手戰(zhàn)略合作伙伴積極推進(jìn)0.13um 內(nèi)嵌Flash與高壓/功率器件的產(chǎn)品的商業(yè)化。
同時(shí)，華虹NEC正積極開發(fā)超高壓BCD700V和大功率的0.35um BCD加強(qiáng)版，以期為LED照明、大功率電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和音頻功放等提供最佳代工解決方案，成為BCD領(lǐng)域的領(lǐng)航者之一。
面對無線射頻、物聯(lián)網(wǎng)和平板電腦等巨大新興應(yīng)用市場，華虹NEC正在對目前世界上最前沿的0.13/0.18微米SiGe BiCMOS進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，據(jù)說已取得重要階段性成果。華虹NEC的目標(biāo)是掌握業(yè)界先進(jìn)的0.13微米SiGe BiCMOS大規(guī)模工藝技術(shù)。能否將國內(nèi)現(xiàn)有的SiGe HBT工藝提升到國際領(lǐng)先水平，能否為國內(nèi)自主開發(fā)的無線通信射頻芯片提供具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的制造和生產(chǎn)技術(shù)，能否實(shí)現(xiàn)高端無線通信芯片的國產(chǎn)化？這是個(gè)艱辛的過程，我們且拭目以待。
本次研討會(huì)的主題是“Unleash Your Success with Our Specialty Technology”,華虹NEC總裁兼CEO邱慈云博士在歡迎致辭上回顧了華虹NEC在過去幾年所取得的成績，同時(shí)感謝所有客戶和合作伙伴長期以來對華虹NEC的大力支持。銷售與市場副總裁高峰先生介紹了公司的市場定位和發(fā)展策略。據(jù)了解，華虹NEC 2010年的業(yè)績較2009年增長超過了50%，產(chǎn)能利用率超過100%。特別是智能卡和功率類半導(dǎo)體出貨量及銷售額都刷新了歷史紀(jì)錄。預(yù)計(jì)2011年銷售業(yè)績將會(huì)有更大增長。
華虹NEC總裁兼CEO邱慈云博士。
來自華虹NEC的技術(shù)專家，在研討會(huì)上重點(diǎn)介紹了公司先進(jìn)的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器平臺(tái)、功率分立器件技術(shù)、模擬/電源管理IC工藝平臺(tái)以及華虹NEC面向客戶需求的設(shè)計(jì)服務(wù)概覽。邱慈云博士在研討會(huì)上說：“華虹NEC自成立以來，始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新，堅(jiān)持從市場需求出發(fā)，開發(fā)新技術(shù)和新產(chǎn)品，我們在工藝方面的投資、研發(fā)是持續(xù)的”。此外，華虹NEC特邀的合作伙伴還在研討會(huì)上展示了包括IP、設(shè)計(jì)服務(wù)、掩模版制造服務(wù)以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化等。
工藝平臺(tái)路線圖。
從上面我們可以看到華虹NEC特色工藝代工技術(shù)平臺(tái)可以分為五大塊：嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(Embedded Non-Volatile Menmory)、功率分立器件(Discrete Device)、模擬/電源管理IC(Analog & Power Management IC)、射頻(RF SiGe BiCOMOS)、高壓(HV CMOS)。華虹NEC在國內(nèi)智能卡代工領(lǐng)域長期保持主導(dǎo)地位，超過7成的二代身 份證、電信卡、社保卡以及電子網(wǎng)銀(USB-Key)、銀 行卡都是由華虹NEC負(fù)責(zé)生產(chǎn)制造。值得一提的是由華虹NEC制造的SIM卡芯片，占據(jù)著全球四分之一的市場份額。從路線圖我們看到，華虹NEC近期將推出的工藝有諸如：在eOTP/MTP中即將推出0.13um OTP (1.8V/6V/32V)、eEEPROM的 0.13um LVt等。
據(jù)銷售與市場副總裁高峰透露，與華虹NEC合作的6個(gè)客戶已經(jīng)成功上市。高峰更是信心十足地表示，未來將會(huì)有更多的合作公司成功上市。
華虹NEC近日與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)成功進(jìn)入量產(chǎn)，成為國內(nèi)第一家提供此類工藝代工的8英寸廠家。這標(biāo)志著華虹NEC已成功邁入IGBT代工領(lǐng)域。
在功率分立器件領(lǐng)域，華虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服務(wù)的8英寸晶圓廠，也是世界上出貨量最大的廠家。截至目前，分立器件累計(jì)出貨超過200萬片8寸晶圓，以一片晶圓兩萬顆芯片計(jì)，累積出貨超過400億顆芯片。自2009年以來，華虹NEC連續(xù)推出了溝槽400-700V高壓MOSFET工藝平臺(tái)和600-700V超級結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET。此次推出的1200V IGBT標(biāo)志著華虹NEC在功率器件領(lǐng)域的又一個(gè)突破，同時(shí)，華虹NEC正在開發(fā)的國際領(lǐng)先的1700V到6500V高功率IGBT工藝平臺(tái)，預(yù)計(jì)將在2012年到2013年陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)。該技術(shù)的產(chǎn)品非常適合用于新能源汽車、家用電器、微波爐、風(fēng)電、太陽能逆變器、機(jī)車拖動(dòng)、電網(wǎng)傳輸?shù)裙?jié)能減排應(yīng)用。
在2011年，華虹NEC還將繼續(xù)提升嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，使其繼續(xù)保持全球業(yè)界領(lǐng)先地位，并攜手戰(zhàn)略合作伙伴積極推進(jìn)0.13um 內(nèi)嵌Flash與高壓/功率器件的產(chǎn)品的商業(yè)化。
同時(shí)，華虹NEC正積極開發(fā)超高壓BCD700V和大功率的0.35um BCD加強(qiáng)版，以期為LED照明、大功率電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和音頻功放等提供最佳代工解決方案，成為BCD領(lǐng)域的領(lǐng)航者之一。
面對無線射頻、物聯(lián)網(wǎng)和平板電腦等巨大新興應(yīng)用市場，華虹NEC正在對目前世界上最前沿的0.13/0.18微米SiGe BiCMOS進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，據(jù)說已取得重要階段性成果。華虹NEC的目標(biāo)是掌握業(yè)界先進(jìn)的0.13微米SiGe BiCMOS大規(guī)模工藝技術(shù)。能否將國內(nèi)現(xiàn)有的SiGe HBT工藝提升到國際領(lǐng)先水平，能否為國內(nèi)自主開發(fā)的無線通信射頻芯片提供具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的制造和生產(chǎn)技術(shù)，能否實(shí)現(xiàn)高端無線通信芯片的國產(chǎn)化？這是個(gè)艱辛的過程，我們且拭目以待。
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