新日鐵與科銳簽訂SiC基板專利相互授權(quán)協(xié)議

2011年4月25日在東京都內(nèi)召開(kāi)了新聞發(fā)布會(huì)。（點(diǎn)擊放大）
新日本制鐵（新日鐵）與美國(guó)科銳就新一代功率半導(dǎo)體等采用的SiC基板，簽訂了雙方在全球所擁有專利的相互授權(quán)協(xié)議。雙方可相互利用SiC塊體基板和外延基板方面的專利。“目的是通過(guò)避免無(wú)謂的專利糾紛，在全球盡快建立起SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)”（新日鐵技術(shù)開(kāi)發(fā)本部研究員兼尖端技術(shù)研究所所長(zhǎng)橋本操）。

據(jù)新日鐵介紹，日本的電子產(chǎn)品廠商在美國(guó)銷售采用該公司SiC基板的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品時(shí)，如果該SiC基板與美國(guó)科銳在美國(guó)獲得的專利發(fā)生沖突，那么理論上科銳可以要求電子產(chǎn)品廠商停止銷售這些產(chǎn)品。同樣，在日本銷售采用科銳SiC基板的產(chǎn)品時(shí)，也會(huì)發(fā)生同樣的情況。對(duì)于電子產(chǎn)品廠商而言，這些都是不愿意遭遇的事態(tài)。

兩家公司簽訂專利相互授權(quán)協(xié)議，“便可以讓電子產(chǎn)品廠商在全球范圍內(nèi)放心使用SiC基板”（新日鐵技術(shù)開(kāi)發(fā)本部、尖端技術(shù)研究所新材料研究部長(zhǎng)大橋渡）。在Si半導(dǎo)體行業(yè)，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手就基本專利簽訂相互授權(quán)協(xié)議并不少見(jiàn)，但在SiC領(lǐng)域“簽訂這樣的協(xié)議還是第一次”（新日鐵材料常務(wù)董事、SiC晶圓部部長(zhǎng)伊藤睿）。

目前，功率半導(dǎo)體SiC基板的市場(chǎng)份額為“科銳公司占50～60％，本公司占5～6％”（伊藤）?？其J在SiC基板方面擁有很多關(guān)鍵的美國(guó)專利，而在日本的專利方面，新日鐵的專利被使用的業(yè)績(jī)更勝一籌。市場(chǎng)份額占絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的科銳之所以與新日鐵簽訂相互授權(quán)，目的似乎還在于在擁有眾多功率半導(dǎo)體知名企業(yè)的日本擴(kuò)大銷售額。

此次雙方達(dá)成的相互授權(quán)協(xié)議中涉及的專利“不包括（在SiC基板方面作為競(jìng)爭(zhēng)源泉的）結(jié)晶生長(zhǎng)技術(shù)專利”（伊藤），而僅限于與結(jié)晶生長(zhǎng)等核心技術(shù)無(wú)關(guān)的專利；也不包括產(chǎn)品相互供應(yīng)和技術(shù)轉(zhuǎn)讓，目前雙方還不打算涉及這些內(nèi)容。另外，此次的協(xié)議中還包括功率半導(dǎo)體以外用途的SiC基板，具體指LED用SiC基板等。新日鐵表示“在SiC基板業(yè)務(wù)方面，本公司目前專注于功率半導(dǎo)體用途”（橋本），顯示近期并不計(jì)劃涉足LED用SiC基板業(yè)務(wù)。（記者：大下 淳一）