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[導(dǎo)讀]2011年4月25日在東京都內(nèi)召開了新聞發(fā)布會。(點擊放大) 新日本制鐵(新日鐵)與美國科銳就新一代功率半導(dǎo)體等采用的SiC基板,簽訂了雙方在全球所擁有專利的相互授權(quán)協(xié)議。雙方可相互利用SiC塊體基板和外延基板方


2011年4月25日在東京都內(nèi)召開了新聞發(fā)布會。(點擊放大)
新日本制鐵(新日鐵)與美國科銳就新一代功率半導(dǎo)體等采用的SiC基板,簽訂了雙方在全球所擁有專利的相互授權(quán)協(xié)議。雙方可相互利用SiC塊體基板和外延基板方面的專利?!澳康氖峭ㄟ^避免無謂的專利糾紛,在全球盡快建立起SiC功率半導(dǎo)體市場”(新日鐵技術(shù)開發(fā)本部研究員兼尖端技術(shù)研究所所長橋本操)。

據(jù)新日鐵介紹,日本的電子產(chǎn)品廠商在美國銷售采用該公司SiC基板的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品時,如果該SiC基板與美國科銳在美國獲得的專利發(fā)生沖突,那么理論上科銳可以要求電子產(chǎn)品廠商停止銷售這些產(chǎn)品。同樣,在日本銷售采用科銳SiC基板的產(chǎn)品時,也會發(fā)生同樣的情況。對于電子產(chǎn)品廠商而言,這些都是不愿意遭遇的事態(tài)。

兩家公司簽訂專利相互授權(quán)協(xié)議,“便可以讓電子產(chǎn)品廠商在全球范圍內(nèi)放心使用SiC基板”(新日鐵技術(shù)開發(fā)本部、尖端技術(shù)研究所新材料研究部長大橋渡)。在Si半導(dǎo)體行業(yè),競爭對手就基本專利簽訂相互授權(quán)協(xié)議并不少見,但在SiC領(lǐng)域“簽訂這樣的協(xié)議還是第一次”(新日鐵材料常務(wù)董事、SiC晶圓部部長伊藤睿)。

目前,功率半導(dǎo)體SiC基板的市場份額為“科銳公司占50~60%,本公司占5~6%”(伊藤)??其J在SiC基板方面擁有很多關(guān)鍵的美國專利,而在日本的專利方面,新日鐵的專利被使用的業(yè)績更勝一籌。市場份額占絕對優(yōu)勢的科銳之所以與新日鐵簽訂相互授權(quán),目的似乎還在于在擁有眾多功率半導(dǎo)體知名企業(yè)的日本擴(kuò)大銷售額。

此次雙方達(dá)成的相互授權(quán)協(xié)議中涉及的專利“不包括(在SiC基板方面作為競爭源泉的)結(jié)晶生長技術(shù)專利”(伊藤),而僅限于與結(jié)晶生長等核心技術(shù)無關(guān)的專利;也不包括產(chǎn)品相互供應(yīng)和技術(shù)轉(zhuǎn)讓,目前雙方還不打算涉及這些內(nèi)容。另外,此次的協(xié)議中還包括功率半導(dǎo)體以外用途的SiC基板,具體指LED用SiC基板等。新日鐵表示“在SiC基板業(yè)務(wù)方面,本公司目前專注于功率半導(dǎo)體用途”(橋本),顯示近期并不計劃涉足LED用SiC基板業(yè)務(wù)。(記者:大下 淳一)



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