臺積電通過18.8億美元資本支出

時(shí)間：2010-11-10 06:39:00

關(guān)鍵字：臺積電先進(jìn)制程 FAB 芯片

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[導(dǎo)讀]臺積電昨（9）日舉行季度例行性董事會(huì)，會(huì)中通過核準(zhǔn)約18.8億美元資本支出預(yù)算，將用來興建位于中科12吋晶圓廠Fab15的試產(chǎn)線，擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能，以及增加12吋晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）等產(chǎn)能。此外，臺積電

臺積電昨（9）日舉行季度例行性董事會(huì)，會(huì)中通過核準(zhǔn)約18.8億美元資本支出預(yù)算，將用來興建位于中科12吋晶圓廠Fab15的試產(chǎn)線，擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能，以及增加12吋晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）等產(chǎn)能。

此外，臺積電也核準(zhǔn)2011年研發(fā)及經(jīng)常性資本預(yù)算8.0376億美元，及對歐洲太陽能電池子公司TSMC Solar Europe B.V.增資940萬歐元。

臺積電今年資本支出預(yù)計(jì)為59億美元，但今年5月、8月、11月等3次例行性董事會(huì)，通過核準(zhǔn)的資本支出預(yù)算已超過66億美元，顯示部份資本預(yù)算花費(fèi)時(shí)間將延至明年，符合臺積電董事長張忠謀日前提及，明年資本支出將高于今年。

臺積電昨日董事會(huì)，核準(zhǔn)動(dòng)用18.809億美元資本預(yù)算，用以建立位于中科12吋晶圓廠Fab15的試產(chǎn)線（Mini-lines），擴(kuò)充先進(jìn)制程及12吋晶圓級芯片尺寸封裝產(chǎn)能，也會(huì)同時(shí)增加特殊制程產(chǎn)能。另外，臺積電也核準(zhǔn)2011年研發(fā)及經(jīng)常性資本預(yù)算達(dá)8.0376億美元。

臺積電今年大幅擴(kuò)充產(chǎn)能，今年全年晶圓產(chǎn)能將達(dá)1,132.9萬片8吋約當(dāng)晶圓，較去年增加14％，其中0.13微米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能則較去年大幅增加37％。設(shè)備商表示，臺積電明年資本支出有機(jī)會(huì)上看65億美元?dú)v史新高，中科12吋廠Fab15也可望在明年底投產(chǎn)，竹科12吋廠Fab12及南科12吋廠Fab14擴(kuò)產(chǎn)速度加快，明年先進(jìn)制程產(chǎn)能可望較今年再增加35％至40％。

設(shè)備商表示，繪圖芯片雙雄英偉達(dá)（NVIDIA）及超威（AMD）陸續(xù)推出40奈米新產(chǎn)品，對臺積電投片下單維持高檔，加上超威40奈米加速處理器Ontario及Zacate也在本季擴(kuò)大投片，臺積電先進(jìn)制程仍供不應(yīng)求，加上28奈米訂單已陸續(xù)到位，所以才會(huì)更積極擴(kuò)大資本支出擴(kuò)產(chǎn)。