應(yīng)材運(yùn)用流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積技術(shù)推動(dòng)先進(jìn)微芯片設(shè)計(jì)

應(yīng)用材料公司于日前宣布推出具突破性的Applied Producer Eterna流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(Flowable CVD)，解決了摩爾定律制程微縮的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，其能運(yùn)用電流隔絕內(nèi)存及邏輯芯片設(shè)計(jì)中20奈米及以下制程的淺溝晶體管，具高質(zhì)量的電介質(zhì)薄膜，是日前業(yè)界首樁也是唯一可處理薄膜沉積的技術(shù)。晶體管與晶體管間的淺溝層皆可完成 30:1 縱橫比的填洞，較目前技術(shù)需求高出5倍，而且具高復(fù)雜的縱橫比。
Eterna流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積制程是目前業(yè)界最具成本效益的填洞解決方案。該系統(tǒng)獨(dú)特的能力，可以將淺溝層自下到上完全填洞完畢，并產(chǎn)出緊密、無(wú)碳的介電質(zhì)薄膜，比液態(tài)旋轉(zhuǎn)式薄膜(spin-on)沉積方式的成本便宜一半，液態(tài)旋轉(zhuǎn)式薄膜沉積需更多的設(shè)備及更多道的制程手續(xù)方能完成。
應(yīng)用材料公司具專利的Eterna流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積制程，能沉積出如液體般的薄膜，可自由流動(dòng)于任何結(jié)構(gòu)中，形成自下到上的無(wú)空隙填充效果。Eterna流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可整合至應(yīng)用材料公司的Producer平臺(tái)，目前已裝在6處DRAM、閃存及邏輯應(yīng)用客戶端的機(jī)臺(tái)上。
應(yīng)用材料公司副總裁暨DSM/ CMP產(chǎn)品處總經(jīng)理比爾?麥可林塔(Bill McClintock)表示︰「由于先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)中，需要! 填出更小更深的溝層，成為目前沉積技術(shù)無(wú)法突破的物理性障礙。今日應(yīng)用材料公司已有杰出的技術(shù)突破，我們推出新的Eterna流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，能形成破壞性創(chuàng)新，讓制程技術(shù)能遵循摩爾定律持續(xù)進(jìn)步。擁有這套Eterna 流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，應(yīng)用材料公司可望持續(xù)維持長(zhǎng)達(dá)10年的填洞技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位，為客戶提供獨(dú)特、簡(jiǎn)化、具成本效益的解決方案，以克服多種新世代芯片技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)?！?br>