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[導讀]據南韓電子時報報導,三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等南韓內存廠最快可于2012年著手量產10奈米制程Flash及20奈米制程DRAM等次世代內存。據相關業(yè)者表示,三星和海力士率先向荷商艾司摩爾(ASML)訂購研

據南韓電子時報報導,三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等南韓內存廠最快可于2012年著手量產10奈米制程Flash及20奈米制程DRAM等次世代內存。據相關業(yè)者表示,三星和海力士率先向荷商艾司摩爾(ASML)訂購研究用極端紫外光源(Extreme Ultraviolet;EUV)曝光設備,以研發(fā)新制程的技術。

每臺要價約1,000億韓元的EUV曝光設備能協助突破目前半導體微細制程20奈米制程界限的有利設備,南韓業(yè)者也期望率先進行研究,以確保未來在微細制程技術上能領先其他競爭業(yè)者。

ASML目前自三星及海力士取得訂單后正在制造EUV設備,預計2011年上半將可各自交貨給2間韓廠。據悉,臺積電(TSMC)也向ASML訂購設備,而美光(Micron)則是下訂后又取消了訂單。

EUV曝光設備是利用波長極短的紫外線,可在硅基板上刻出更微細的電路圖案?,F有的曝光設備是采用193奈米的波長,但EUV設備采用13.2奈米的極端紫外光線,可以呈現更微細的半導體電路。

專家分析,雖然目前部分半導體業(yè)者可透過采用ArF浸潤式微影和雙重曝光技術(DPT)量產20奈米Flash、30奈米DRAM,但采用該種微細制程的半導體生產將難以突破技術界限,發(fā)展出更微細的? s程。

三星及海力士將先測試研究用EUV曝光設備,最快2012年將可開始投入量產線。業(yè)界相關人員表示,南韓業(yè)者在全球業(yè)者間率先訂購研究用EUV設備,是為了確保在微細制程領域的技術能力。競爭業(yè)者將會根據市場情況也隨著引進設備,而三星海力士將可在生產次世代內存方面占據領先地位。




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