IBM瞄準10nm以下工藝

美國IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導體制造技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級CMOS環(huán)形振蕩器，并實際確認了工作情況（論文編號：2.3）。此次試制的是“Gate-all-around”型FET，采用了通過柵極將柱狀硅納米線完全包起來的形狀。配備三維通道。一般情況下，如果可以實現直徑為3nm的硅納米線，柵極長度就可以達到6nm左右。也就是說，這是一項瞄準10nm以下工藝技術節(jié)點的技術。

此次IBM試制了硅納米線直徑為3～14nm、柵極長度為25nm～55nm的多種FET。采用了high-k柵極絕緣膜和金屬柵極。

實驗結果中公布了逆變電路輸出功率倒置的數據，以及環(huán)形振蕩器的延遲時間與電源電壓的關系如何隨著硅納米線的直徑發(fā)生變化等數據。硅納米線的直徑越短，環(huán)形振蕩器的延遲時間就越長。據介紹，如果硅納米線的截面積較小，從觸點（Contact）到晶體管的電阻就會增大，最終導致延遲時間變長。該電阻值的削減等將成為今后研究的一個課題。

此外，IBM還公開了硅納米線FET的截面照片和長度方向的照片。看過長度方向照片的某位技術人員表示，“硅納米線的尺寸沒有出現參差不齊的現象。這點應該給予好評”。