IEDM綜述：具備卓越性能的32nm制造工藝技術(shù)

英特爾此次發(fā)布的32nm工藝制造技術(shù)，在SoC用途方面具有卓越的性能。這一點(diǎn)與該公司在此次IEDM的其他論文中發(fā)布的個(gè)人電腦等高性能微處理器用32nm工藝制造技術(shù)相比一目了然。

采用此次發(fā)布的英特爾高性能微處理器制造技術(shù)的晶體管通態(tài)電流方面，NMOS為1.62mA/μm（斷開電流為100nA/μm，電壓為 1.0V），PMOS為1.37mA/μm（斷開電流為100nA/μm，電壓為1.0V）（圖）。與該公司的45nm工藝高性能微處理器制造技術(shù)相比，通態(tài)電流在NMOS方面增大了19％，在PMOS方面增大了28％，再次打破了該公司每代工藝都連續(xù)刷新的記錄。



英特爾此次還宣布，“已經(jīng)在兩個(gè)工廠開始量產(chǎn)供貨”（英特爾）,通過32nm工藝技術(shù)制造的多核微處理器產(chǎn)品。

令人驚訝的是，前面提到的32nm工藝SoC制造技術(shù)，也可以使用性能與之沒有什么不同的晶體管。這意味著英特爾將有可能在今后投放性能大幅高于現(xiàn)有產(chǎn)品的SoC。

英特爾的競爭對(duì)手——IBM聯(lián)盟的半導(dǎo)體制造技術(shù)人員透露了他們的感想，“說實(shí)話，我們驚訝于英特爾的晶體管性能”。在不遠(yuǎn)的將來，英特爾完全有可能會(huì)席卷重視性能的SoC市場。

SRAM單元泄露電流較小

在性能方面英特爾更勝一籌，而在低功耗方面則是IBM聯(lián)盟更為出色。如實(shí)表現(xiàn)這一點(diǎn)的就是SoC中集成的SRAM的單元泄露電流。電源電壓為1.0V 時(shí)的SRAM單元泄露電流，在采用英特爾32nm工藝SoC技術(shù)時(shí)為100～200pA左右，而采用IBM聯(lián)盟的28nm工藝SoC技術(shù)時(shí)則為 20～30pA左右，僅為前者的1/5左右。IBM聯(lián)盟的半導(dǎo)體制造技術(shù)人員認(rèn)為，原因是“我們的28nm工藝制造技術(shù)的功耗較低，甚至可以用于便攜產(chǎn)品用SoC中”。

實(shí)際上，當(dāng)用于便攜產(chǎn)品用SoC等時(shí)，廠商希望將SRAM單元泄露電流降至20pA左右。換言之，SRAM單元泄露電流達(dá)到100～200pA的英特爾SoC制造技術(shù)要想用于便攜產(chǎn)品用SoC中，還需要下為新產(chǎn)品一番功夫。（記者：大石 基之）