聯(lián)電南科Fab12A廠第三、四期啟動

時間：2010-05-24 06:18:00

關鍵字：聯(lián)電 FAB 制程技術先進制程

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[導讀]聯(lián)電(UMC)日前宣布，位于臺南科學園區(qū)的Fab12A廠第三、四期已經(jīng)啟動，目前也正在積極進行無塵室的配置與機臺移入，并裝設業(yè)界最先進的自動化與生產(chǎn)制造系統(tǒng)，預估完成后全年產(chǎn)能將可達100 萬片12吋晶圓。此外

聯(lián)電(UMC)日前宣布，位于臺南科學園區(qū)的Fab12A廠第三、四期已經(jīng)啟動，目前也正在積極進行無塵室的配置與機臺移入，并裝設業(yè)界最先進的自動化與生產(chǎn)制造系統(tǒng)，預估完成后全年產(chǎn)能將可達100 萬片12吋晶圓。

此外，配合產(chǎn)能擴建，聯(lián)電今年3月5日也正式成立南科新訓中心，預估今年將招募1000名員工，并積極培訓人才?！?br>
自 1999年11月于臺南科學園區(qū)開始興建國內(nèi)第一座十二吋晶圓廠Fab12A以來，聯(lián)電已在南科經(jīng)營超過十年。2004年，聯(lián)電將研發(fā)總部南遷，與12吋晶圓廠區(qū)接壤，旨在使先進制程研發(fā)技術自研發(fā)階段密切與生產(chǎn)配合以更迅速移轉進入量產(chǎn)階段。

目前此一先進制程廠區(qū)任用之員工已達2，600名，其中500名為研發(fā)工程師。Fab12A廠自2001年開始生產(chǎn)，目前已進入45/40奈米制程技術的量產(chǎn)階段。自主研發(fā)的高階制程技術則已推展至28奈米，使用后閘極的高介電系數(shù)介電值/金屬閘極技術開發(fā)順利，并按既定計劃預計于2010年底達到硅智財試制之能力。

先進20奈米技術也于今年初開始與客戶合作進行規(guī)劃及先期開發(fā)之工作。因應客戶對于先進制程技術的產(chǎn)能需求持續(xù)成長，聯(lián)電在原有的Fab12A第一期、第二期廠區(qū)旁，擴建第三期及第四期廠區(qū)，以具體行動展現(xiàn)持續(xù)深耕南臺灣的決心。