臺積：先進制程缺口達40%

臺積電董事長張忠謀（右）在昨天法說會中表示，先進制程的需求缺口高達30%至40%，產(chǎn)能吃緊，臺積電加速擴產(chǎn)中，年中預(yù)計臺中12吋廠「Fab15 」正式動土。
記者陳正興／攝影

臺積電董事長張忠謀昨（27）日表示，目前先進制程的需求缺口高達30%至40%，產(chǎn)能吃緊，臺積電加速擴產(chǎn)中，年中預(yù)計臺中12吋廠「Fab15 」正式動土。這將是臺積繼續(xù)新竹、臺南之后，第三座12吋廠房的用地。

臺積電今年大手筆，砸下48億美元資本支出，僅次于英特爾、三星；臺積電首季資本支出約14.4億美元。臺積電財務(wù)長何麗梅表示，預(yù)計今年資本支出會集中在上半年。

張忠謀表示，先進制程需求缺口大，臺積電加緊擴產(chǎn)中，目前竹科Fab12廠已有四期廠房，目前正興建第五期；位于南科的Fab14也有三期12吋廠房，正興建第四期廠房，F(xiàn)ab12與Fab14都是超大（Giga）晶圓廠規(guī)模，預(yù)計今年兩廠月產(chǎn)一舉突破20萬片12吋晶圓。

此外，臺積電位于臺中的12吋廠預(yù)定地，今年年中預(yù)計正式動土。張忠謀說，這座廠將先從40奈米制程切入，然后慢慢導(dǎo)入28、20奈米。

臺積電首季總產(chǎn)能256.6萬片，比前季增加1.3%。何麗梅預(yù)估，第二季總產(chǎn)能將達275.6萬片約當(dāng)8吋晶圓，季增7%，其中，12吋增加13%，8吋增加2%；2010年全年預(yù)估總產(chǎn)能1124.87萬片，其中，12吋將年增加35%，12吋產(chǎn)能將占總產(chǎn)能一半。

臺積電在兩岸都擴產(chǎn)積極，張忠謀說，臺積電上海松江廠，過去幾年年復(fù)合成長率達63%，去年來自中國大陸營收，已經(jīng)超越日本，今年松江廠也將擴產(chǎn)來到每月5萬片規(guī)模。

【記者陳碧珠／臺北報導(dǎo)】臺積電研究發(fā)展資深副總蔣尚義昨（27）日說，來自先進制程（0.13微米以下）營收已占第一季營收17%，其中40奈米的單季營收達到129億元，提前破百億元，領(lǐng)先同業(yè)數(shù)十倍，在市場占有率上達到80%，預(yù)估到年底時可占公司20%營收比重。

蔣尚義昨天與董事長張忠謀、財務(wù)長何麗梅一起出席法說，他說明臺積電在先進制程上選擇的技術(shù)是「Gate-last」，來發(fā)展28奈米金屬柵極結(jié)構(gòu)（HKMG）制程。

臺積電在先進制造的營收中，90奈米約占17%，65奈米占27%，40奈米從上季9%提高到14%。蔣尚義表示，臺積電28奈米將于6月開始進行風(fēng)險性生產(chǎn)，最快9月底量產(chǎn)。

業(yè)界指出，臺積電去年中以前，原本采用Gate-first技術(shù)，年底才改決定采用last，而英特爾是Gate-last的支持者，英特爾是用 Gate-last；IBM/體系的全球晶圓（Globalfoundries）則是Gate-first的支持者，不同的技術(shù)將影響業(yè)者未來技術(shù)領(lǐng)先程度。