富士通微電子與臺(tái)積電合作發(fā)展28納米工藝技術(shù)

日本富士通微電子株式會(huì)社與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺(tái)積電先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)為基礎(chǔ)，針對富士通微電子的28納米邏輯IC產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn)、共同開發(fā)并強(qiáng)化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺(tái)積電已經(jīng)就40納米工藝進(jìn)行合作。這項(xiàng)協(xié)定代表富士通微電子將延伸已經(jīng)在臺(tái)積電生產(chǎn)的40納米產(chǎn)品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預(yù)計(jì)于2010年年底出貨。

這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)的合作將富士通微電子在先進(jìn)高速工藝與低耗電設(shè)計(jì)技術(shù)的專長及優(yōu)勢，以及臺(tái)積電節(jié)能的高效能邏輯／系統(tǒng)單芯片工藝及「開放創(chuàng)新平臺(tái)」（Open Innovation Platform）中的先進(jìn)技術(shù)相結(jié)合。這次延伸至28納米工藝的合作計(jì)劃，能在臺(tái)積電包含高效能與低耗電應(yīng)用的28納米技術(shù)組合基礎(chǔ)上，提供富士通微電子與臺(tái)積電一個(gè)從深具競爭優(yōu)勢、高效能28納米技術(shù)中獲益的機(jī)會(huì)。

同時(shí)，二家公司也正在就先進(jìn)封裝合作的可能性進(jìn)行討論，希望能有效結(jié)合富士通微電子在高效能、無鉛、超高接腳（ultra-high-pin count）封裝技術(shù)的優(yōu)勢及臺(tái)積電在芯片封裝整合與先進(jìn)的銅／超低介電系數(shù)（Cu/ELK）導(dǎo)線的堅(jiān)強(qiáng)實(shí)力。

富士通微電子常務(wù)執(zhí)行董事八木春良（Haruyoshi Yagi）表示，我們先前宣布與臺(tái)積電在 40納米工藝技術(shù)的合作正快速進(jìn)展中，目前已有好幾個(gè)產(chǎn)品進(jìn)入實(shí)體設(shè)計(jì)階段。透過與臺(tái)積電在28納米高效能工藝共同開發(fā)與生產(chǎn)上的合作，我們可以結(jié)合雙方的競爭優(yōu)勢，來為客戶創(chuàng)造更大的價(jià)值，此舉將可進(jìn)一步擴(kuò)大臺(tái)積電的營運(yùn)成長，同時(shí)擴(kuò)展富士通微電子在專用集成電路（ASIC）與專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSP）注1市場的業(yè)務(wù)。

臺(tái)積電全球業(yè)務(wù)暨行銷副總經(jīng)理陳俊圣表示，我們過去在先進(jìn)技術(shù)上開發(fā)及量產(chǎn)的傲人紀(jì)錄，是富士通微電子選擇我們成為合作伙伴的原因之一。臺(tái)積電的技術(shù)平臺(tái)涵蓋與芯片設(shè)計(jì)相關(guān)的種種考量，包括設(shè)計(jì)套件、設(shè)計(jì)流程、臺(tái)積電與合作伙伴的硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)、健全的元件資料、優(yōu)異的工藝技術(shù)、后段的封裝及測試能力，此次的協(xié)定代表臺(tái)積電的技術(shù)平臺(tái)已獲得肯定。

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