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[導(dǎo)讀]中國大陸IC設(shè)計廠展訊預(yù)定明年1月于北京發(fā)表,采用40納米制程低耗電3G通訊基帶晶片,成為手機芯片大廠高通(Qualcomm)后,進(jìn)入40納米制程的手機芯片廠。市場亦傳出,高通方面已與展訊就TD芯片展開合作,法人預(yù)估,高

中國大陸IC設(shè)計廠展訊預(yù)定明年1月于北京發(fā)表,采用40納米制程低耗電3G通訊基帶晶片,成為手機芯片大廠高通(Qualcomm)后,進(jìn)入40納米制程的手機芯片廠。

市場亦傳出,高通方面已與展訊就TD芯片展開合作,法人預(yù)估,高通和展訊的合作,未來對于臺灣IC設(shè)計龍頭聯(lián)發(fā)科和手機芯片生力軍晨星應(yīng)會帶來一定程度的競爭壓力。

分析師認(rèn)為,高通在布局3G的CDMA市場后,現(xiàn)正積極投入4G通訊技術(shù),以LTE和中國大陸特有的TD-LTE技術(shù)為主,全力迎接明年的LTE元年;而透過和展訊的合作,可以補強在中國內(nèi)需市場的3G和TD-SCDMA領(lǐng)域,兩全齊美。分析師說,高通和展訊合攻TD-SCDMA,對于同樣布局TD- SCDMA的聯(lián)發(fā)科和晨星而言,會處于相對不利的位置。

目前晨星已計劃在明年上半年推出TD-SCDMA芯片,搶進(jìn)3G市場;但聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理謝清江曾于11月初的法說會上表示,明年3G市場成長重點將放在全球主流規(guī)格WCDMA,而非TD-SCDMA。

展訊在美東時間19日晚間宣布,將在明年的1月19日于北京為旗下的40納米制程低耗電3G通訊基帶處理器,舉辦科技論壇,對外說明新產(chǎn)品的開發(fā)進(jìn)度,并分享通訊IC設(shè)計的經(jīng)驗。上述科技論壇計畫由展訊、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(CSIA)、海信通信、華為與沈陽新郵通信設(shè)備聯(lián)合舉辦。

今年在中國大陸2G和2.5G手機芯片市場成功搶占兩成以上市占率,并步步進(jìn)逼聯(lián)發(fā)科的展訊,今年下半年不斷對外發(fā)表三卡三待、四卡四待等新產(chǎn)品,積極搶進(jìn)大陸以外的新興市場。

與聯(lián)發(fā)科的競爭,亦由大陸進(jìn)一步打到印度、南美等市場。受到持續(xù)推出新產(chǎn)品激勵,展訊ADS在17日上漲3.81%,收18.00美元,創(chuàng)歷史新高。

除新產(chǎn)品布局外,市場傳出,高通搶進(jìn)中國大陸市場的合作對象也選定展訊,雙方就高通著墨較少的TD晶片展開合作,共同發(fā)展CDMA和TD雙模芯片,合作搶攻3G市場。

就12月營運來看,受惠于中國大陸農(nóng)歷春節(jié)前拉貨潮,聯(lián)發(fā)科本月將迎接第四季的單月營收高點,出貨量力拼5,000萬顆水準(zhǔn),月營收規(guī)模挑戰(zhàn)80億元以上。

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