[導(dǎo)讀]摩爾定律(Moore’s Law)將在未來(lái)的十年持續(xù)發(fā)展,但每單位晶體管成本下跌的速度將隨之減緩,無(wú)法再像過(guò)去一樣快速降低了。根據(jù)新思科技董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官Aart de Geus表示,芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜,逐漸推遲向更大晶圓
摩爾定律(Moore’s Law)將在未來(lái)的十年持續(xù)發(fā)展,但每單位晶體管成本下跌的速度將隨之減緩,無(wú)法再像過(guò)去一樣快速降低了。根據(jù)新思科技董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官Aart de Geus表示,芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜,逐漸推遲向更大晶圓的過(guò)渡,但也為其他替代技術(shù)開啟了大門。
Aart de Geus的這番評(píng)論正好出現(xiàn)在當(dāng)今業(yè)界日益關(guān)注半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)發(fā)展之際。有些業(yè)界觀察家指出,28nm節(jié)點(diǎn)可能會(huì)是最后一次還能以新硅晶制程為客戶帶來(lái)完整的好處了──更低成本、功耗以及更高性能。
展望未來(lái),“評(píng)判的標(biāo)準(zhǔn)將取決于每個(gè)晶體管成本降價(jià)的速度有多快──這同時(shí)也會(huì)是良率能多快提升的函數(shù),”Aart de Geus指出,“隨著晶體管降價(jià)速度減緩,半導(dǎo)體的價(jià)格很可能就必須提高,”才能使芯片制造商得以回收投資。
不過(guò),Aart de Geus也轉(zhuǎn)述英特爾資深院士Mark Bohr的看法,他說(shuō)Mark Bohr表示看到一條可邁向7nm節(jié)點(diǎn)的發(fā)展道路,還“可能以某種方式降低每晶體管價(jià)格?!?BR>
業(yè)界分析師G. Dan Hutcheson則指出,目前對(duì)于未來(lái)節(jié)點(diǎn)的每晶體管成本資料掌握有限。不過(guò),根據(jù)以往的發(fā)展經(jīng)驗(yàn),他預(yù)計(jì)業(yè)界將能持續(xù)看到成本下降。
Hutcheson指出,由于缺少下一代微影工具,晶圓廠自20nm起就必須為一些芯片層進(jìn)行兩次圖樣(pattern)過(guò)程。但微影技術(shù)僅占芯片制造成本的四分之一。
面對(duì)未來(lái)可能更高的成本,“業(yè)界將竭盡所能的利用目前的28nm節(jié)點(diǎn),”Aart de Geus表示,“由于利潤(rùn)并沒那么高,其他公司可能更指望在16/14nm節(jié)點(diǎn),因此,只有一些廠商會(huì)轉(zhuǎn)移到20nm節(jié)點(diǎn),”他補(bǔ)充說(shuō)。
這可能會(huì)為其他替代技術(shù)開啟了另一扇門,如意法半導(dǎo)體(ST)以及其他業(yè)者提出的全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)技術(shù)?!暗@也會(huì)帶動(dòng)其他主導(dǎo)廠商大力支持 FD-SOI ,”他說(shuō)。
考慮到成本不斷的增加以及芯片制造的復(fù)雜度,半導(dǎo)體公司已經(jīng)將從300mm晶圓過(guò)渡到45nn晶圓的時(shí)程延遲到2020年了。Aart de Geus說(shuō):“更大的晶圓有時(shí)雖可帶來(lái)更低成本,但業(yè)界也相應(yīng)地需要一款完整的工具,如今卻還無(wú)法到位?!?BR>
盡管如此,Aart de Geus對(duì)于未來(lái)發(fā)展仍抱持樂觀看法。隨著該公司推出重要的芯片設(shè)計(jì)軟件升級(jí),他表示,“我們可支持多幾十億種晶體管芯片,而在未來(lái)十年也將看到持續(xù)的進(jìn)展。”
有趣的是,在以Synopsys公司工具完成的設(shè)計(jì)中,只有約5%的設(shè)計(jì)采用目前先進(jìn)的28nm制程技術(shù)。根據(jù)Aart de Geus的簡(jiǎn)報(bào)數(shù)據(jù),180nm節(jié)點(diǎn)是目前最普遍的制程技術(shù),在采用該工具的設(shè)計(jì)中約占30%,接著分別是65nm以及250nm節(jié)點(diǎn)。
“這的確是令人驚訝的數(shù)據(jù)分布,讓我不得不再三確認(rèn)圖表與數(shù)字是否確,”Aart de Geus說(shuō),“但可以確定的是我們看到了大量轉(zhuǎn)向28nm的趨勢(shì),接下來(lái)也將逐漸增加過(guò)渡至16/14nm節(jié)點(diǎn)。
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華為
12nm
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VI
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12nm
EDA
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BSP
NI
SE
TRACE
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BSP
COM
AI
INDEX
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BSP
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CIS
IO
SI
BSP
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移遠(yuǎn)通信
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高通
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COM
TE
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華為
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半導(dǎo)體