Samueli在接受EETimes采訪時談到了現(xiàn)在的半導體工藝狀態(tài),28nm及之后的工藝雖然會繼續(xù)提升芯片的性能、降低功耗,但在成本上已經(jīng)不能繼續(xù)受益,未來有必要考慮新的選擇。
博通公司此前發(fā)布了XLP多核ARM處理器架構(gòu),他們就直接越過了20nm工藝,改用16nm FinFET鰭式晶體管工藝生產(chǎn)。
目前業(yè)界對半導體工藝的研究已經(jīng)到了10nm以下,Intel就準備在2017年后開始使用7nm工藝,但在Samueli看來7nm之后半導體工藝很快就會達到物理極限,5nm工藝時晶體管就只有10個原子大小,接近物理極限了。 IEDM會議上的石墨烯研究
他在IEDM會議上的另一篇主題演講就是探討可能取代CMOS工藝的新技術(shù),其中石墨烯制造的晶體管頻率可達1000GHz,其厚度也有1個原子大小。此前三星、IBM都做過類似的研究,不過這個技術(shù)離工業(yè)量產(chǎn)還有段距離。