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[導(dǎo)讀]在經(jīng)歷近十年的發(fā)展后,Glo的納米線LED定于明年年初進(jìn)軍市場(chǎng)。盡管Glo生產(chǎn)的納米線LED已進(jìn)入市場(chǎng)很長(zhǎng)一段時(shí)間,但明年年初將可買到高亮度的納米線LED。在經(jīng)歷近十年的研究后開發(fā)后,位于瑞典的隆德大學(xué)子機(jī)構(gòu)Glo于20

在經(jīng)歷近十年的發(fā)展后,Glo的納米線LED定于明年年初進(jìn)軍市場(chǎng)。盡管Glo生產(chǎn)的納米線LED已進(jìn)入市場(chǎng)很長(zhǎng)一段時(shí)間,但明年年初將可買到高亮度的納米線LED。在經(jīng)歷近十年的研究后開發(fā)后,位于瑞典的隆德大學(xué)子機(jī)構(gòu)Glo于2005年成立,而Glo的3DLED似乎已準(zhǔn)備好挑戰(zhàn)現(xiàn)有的平面LED。
“客戶手頭已經(jīng)有我們的產(chǎn)品,而我們期望在接下來幾個(gè)季度正式啟動(dòng)”,美國(guó)Glo的首席技術(shù)官NathanGardner說道?!拔覀兤谕商峁┍绕矫嬖O(shè)備更好的綠色LED以及性能更高的藍(lán)色LED。接下來將是紅色的納米設(shè)備。因此,我們將完全依賴氮化半導(dǎo)體系統(tǒng)建立RGB方案?!?BR>但是為什么會(huì)關(guān)注到納米線呢?相較傳統(tǒng)的平面LED的異質(zhì)結(jié)構(gòu),這些垂直的3D結(jié)構(gòu)具有若干優(yōu)勝之處。首先,在基片上安裝垂直的納米線可避免晶片壓力的累積(這種情通常在放置平面層時(shí)出現(xiàn))。各種材料的膨脹系數(shù)之間的差異會(huì)導(dǎo)致裝配時(shí)晶格的不匹配,而有缺陷的晶片會(huì)降低設(shè)備的產(chǎn)能及性能。
更重要的是,由于有較大的面積體積比率,垂直結(jié)構(gòu)可增加光線的輸出效率,并可與低成本大面積的硅襯底兼容。
正如Gardner所解釋,Glo的LED產(chǎn)品包括透過MOCVD在GaN(氮化鎵)/寶藍(lán)石模板上安裝的選擇區(qū)域增長(zhǎng)膜上垂直排列的GaN納米線列。透過光刻及干蝕方法印在膜上的小孔可帶動(dòng)納米線的生長(zhǎng)。
二極管的實(shí)際結(jié)構(gòu)包括M面sidewalls的N型GaN納米電纜基InGaN活動(dòng)區(qū)域。該活動(dòng)區(qū)域下依次為p類AlGaN層、p類GaN層及重參雜p型GaN接觸層。
“TEM分析顯示n型GaN模板存在的錯(cuò)位現(xiàn)象很少會(huì)傳導(dǎo)到納米線上”,他說道?!啊阂虼恕辉摶顒?dòng)區(qū)域是安置在無缺陷的m面模板上?!?

技術(shù)關(guān)注:垂直結(jié)構(gòu)LED已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場(chǎng)

Glo納米芯片的SEM可顯示單個(gè)(變焦)納米線『Glo』
Glo尚未公開發(fā)布技術(shù)規(guī)范—根據(jù)保密協(xié)議,該資料只能提供給持有樣品設(shè)備的客戶—但Gardner聲稱綠色及藍(lán)色器件的整體性能與目前的商業(yè)平面器件一樣。
“我們的綠色設(shè)備的量子效率峰值在市場(chǎng)上可買到的綠色設(shè)備效益峰值的10%以內(nèi),而我們的藍(lán)色LED的內(nèi)量子效率與最先進(jìn)的平面商業(yè)藍(lán)色『器件』相當(dāng)”,他說道?!岸鴣碜栽撔?strong>器件的可靠性數(shù)據(jù)顯示它們符合客戶的正常需求”。
截至目前,Glo一直專注于在寶石藍(lán)襯底上裝配LED。盡管Gardner聲稱納米線LED生產(chǎn)可與大面積的硅襯底兼容,但在可預(yù)見的未來時(shí)間里,該公司的精力將繼續(xù)放在藍(lán)寶石上。
“總體來說,與平面結(jié)構(gòu)相比,納米線設(shè)備的結(jié)構(gòu)十分適合裝配在大面積的硅襯底上,我們不主張加入緩沖層,因?yàn)檫@樣會(huì)使事情復(fù)雜化,也要增加相應(yīng)的成本”,他解釋道。“但是直到研發(fā)出直徑為8英寸的硅襯底,生產(chǎn)平面LED的公司才意識(shí)到硅其實(shí)更具成本優(yōu)勢(shì)。因此,一旦設(shè)備容積增大及有這方面的需求,我們將會(huì)考慮用硅。”
質(zhì)量或成本?
在今年三月份,位于美國(guó)的納米線LED生產(chǎn)商及Glo的勁敵Aledia使在8英寸的硅晶片上裝配硅基LED原型微絲GaN產(chǎn)品亮相??蛻魳悠奉A(yù)期在2014年年初上市。
當(dāng)時(shí),行政總裁GiorgioAnania向《化合物半導(dǎo)體》透露,這種LED的生長(zhǎng)速度比平面GaNLED的生長(zhǎng)速度快三倍以上,成本可能會(huì)比傳統(tǒng)的設(shè)備少約四倍,但他的公司并不把高性能市場(chǎng)作為其目標(biāo)市場(chǎng)。
他表示:“首先,我們不會(huì)提供最佳的每瓦流明數(shù),因?yàn)樵S多應(yīng)用設(shè)備并不需要。我們真正需要的是每投入一美元能實(shí)現(xiàn)最佳流明數(shù)”。
很顯然,Glo正在采用不同的策略。Gardner表示他的公司生產(chǎn)納米設(shè)備的速度與生產(chǎn)平面LED的公司的生產(chǎn)速度不相上下,目前來看,只是成本的問題。
“最后,這種LED設(shè)備可能會(huì)比平面LED更便宜,但是我們認(rèn)為我們不會(huì)在未來的一年到一年半的時(shí)間里提出這種解決方案”,他說。”使用納米線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的LED,把實(shí)現(xiàn)所有的顏色的可見光譜作為一個(gè)平臺(tái)產(chǎn)生突破性的性能,是我們的一貫方針。我們的真實(shí)愿望是超出平面性能的LED。”
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