[導讀]全球MEMS(微電子機械系統(tǒng))、納米技術和半導體市場晶圓鍵合及光刻設備的領先供應商EV集團(EVG)日前宣布，道康寧公司已加入該集團的“頂尖技術供應商”網(wǎng)絡，為其室溫晶圓鍵合及鍵合分離平臺——LowTemp™平臺的開
全球MEMS(微電子機械系統(tǒng))、納米技術和半導體市場晶圓鍵合及光刻設備的領先供應商EV集團(EVG)日前宣布，道康寧公司已加入該集團的“頂尖技術供應商”網(wǎng)絡，為其室溫晶圓鍵合及鍵合分離平臺——LowTemp™平臺的開發(fā)提供大力支持。道康寧是全球領先的有機硅及硅技術創(chuàng)新企業(yè)，此次加盟EVG這個業(yè)內(nèi)領先的合作伙伴網(wǎng)絡堪稱此前雙方緊密合作的延續(xù)，之前的合作包括對道康寧的簡便創(chuàng)新雙層臨時鍵合技術進行嚴格的測試。今年7月，EVG推出全新的LowTemp公開平臺，并宣布擴大其全球材料供應鏈，以加速其高端三維集成電路 (3D-IC)封裝業(yè)務的發(fā)展。
EV集團業(yè)務開發(fā)總監(jiān)Thorsten Matthias博士表示：“道康寧是全球先進有機硅技術及專業(yè)技能方面的領導者，他們的加入無疑將使我們的這個臨時晶圓鍵合/鍵合分離材料開放平臺錦上添花。他們的合作方式和優(yōu)秀原材料能幫助我們開發(fā)出創(chuàng)新而又具有成本效益的臨時鍵合解決方案，為我們的客戶在室溫下采用傳統(tǒng)生產(chǎn)方式進行活性及載體晶圓的鍵合與鍵合分離提供了更多選擇。
EVG的LowTemp™臨時鍵合/鍵合分離(TB/DB)平臺具有三種不同的室溫下晶圓鍵合分離工藝——紫外(UV)激光分離、多層粘合劑分離以及ZoneBOND®技術——它們都可用于大批量生產(chǎn)。
道康寧的雙層TB/DB有機硅技術包含一個粘合劑層和一個脫離層，從而能夠在室溫下實現(xiàn)簡單的臨時鍵合與鍵合分離，并在總體厚度變化較小的情況下表現(xiàn)出最佳的使用性能，因此非常適合EV集團的平臺。此外，當工藝要求在300° C的高溫下，它還具有出色的耐化學性和熱穩(wěn)定性。
通過此次將道康寧列為其開放材料平臺的合格供應商，EV集團的TB/DB技術實力將大大增強，全球供應鏈也將得到大大拓展。此非獨占協(xié)議的簽訂將使雙方得以聯(lián)手為先進半導體封裝行業(yè)提供經(jīng)濟實惠的TB/DB解決方案，為3D-IC封裝應用的大規(guī)模生產(chǎn)提供支持。
道康寧先進半導體材料全球行業(yè)總監(jiān)Andrew Ho表示：“此次雙方在3D-IC封裝和穿透硅通孔(TSV)開發(fā)領域達成合作，無論對于道康寧，對EV集團，還是整個半導體行業(yè)來說都是一個重要的里程碑。這不僅是對道康寧簡便室溫TB/DB技術的一次重要驗證，更將進一步實現(xiàn)EV集團業(yè)內(nèi)領先的規(guī)模生產(chǎn)開放平臺的商業(yè)化。不僅如此，這項技術也是新一代微電子應用實現(xiàn)3D-IC封裝工藝集成的一項重大進步?！?BR>3D-IC集成技術通過將水平芯片結(jié)構(gòu)疊層組裝到垂直架構(gòu)中，可大大提高微型電子設備的形狀因數(shù)(芯片尺寸)、帶寬(芯片晶體管密度)以及功能性。但是，要實現(xiàn)這項革命性的新技術首先需要簡便經(jīng)濟的TB/DB解決方案將活性晶圓片鍵合到更厚的載體晶圓上，該技術能使活性晶圓的厚度減少到50 µm甚至更低，并通過穿透硅通孔(TSV)技術實現(xiàn)垂直方向芯片之間的相互連接。
EV集團將參加本周在臺北舉行的“國際半導體展(SEMICON Taiwan)”，屆時歡迎對EVG最新晶圓鍵合以及其他加工解決方案感興趣的媒體朋友和業(yè)內(nèi)分析師前往臺北世界貿(mào)易中心南港展覽館416號展位，或參加公司在展會期間的技術推介活動。9月4日15:30～ 16:00，公司技術開發(fā)及IP總監(jiān)Markus Wimplinger先生將在TechXPOT作題為“如何使用LowTemp™鍵合分離技術低成本地處理晶圓薄片” 的論文演講。Wimplinger先生還將于9月5日15:10～ 15:40在展會期間的MEMS論壇上發(fā)表題為“晶圓鍵合技術在大規(guī)模消費MEMS應用領域的發(fā)展趨勢”的演講。
EV集團業(yè)務開發(fā)總監(jiān)Thorsten Matthias博士表示：“道康寧是全球先進有機硅技術及專業(yè)技能方面的領導者，他們的加入無疑將使我們的這個臨時晶圓鍵合/鍵合分離材料開放平臺錦上添花。他們的合作方式和優(yōu)秀原材料能幫助我們開發(fā)出創(chuàng)新而又具有成本效益的臨時鍵合解決方案，為我們的客戶在室溫下采用傳統(tǒng)生產(chǎn)方式進行活性及載體晶圓的鍵合與鍵合分離提供了更多選擇。
EVG的LowTemp™臨時鍵合/鍵合分離(TB/DB)平臺具有三種不同的室溫下晶圓鍵合分離工藝——紫外(UV)激光分離、多層粘合劑分離以及ZoneBOND®技術——它們都可用于大批量生產(chǎn)。
道康寧的雙層TB/DB有機硅技術包含一個粘合劑層和一個脫離層，從而能夠在室溫下實現(xiàn)簡單的臨時鍵合與鍵合分離，并在總體厚度變化較小的情況下表現(xiàn)出最佳的使用性能，因此非常適合EV集團的平臺。此外，當工藝要求在300° C的高溫下，它還具有出色的耐化學性和熱穩(wěn)定性。
通過此次將道康寧列為其開放材料平臺的合格供應商，EV集團的TB/DB技術實力將大大增強，全球供應鏈也將得到大大拓展。此非獨占協(xié)議的簽訂將使雙方得以聯(lián)手為先進半導體封裝行業(yè)提供經(jīng)濟實惠的TB/DB解決方案，為3D-IC封裝應用的大規(guī)模生產(chǎn)提供支持。
道康寧先進半導體材料全球行業(yè)總監(jiān)Andrew Ho表示：“此次雙方在3D-IC封裝和穿透硅通孔(TSV)開發(fā)領域達成合作，無論對于道康寧，對EV集團，還是整個半導體行業(yè)來說都是一個重要的里程碑。這不僅是對道康寧簡便室溫TB/DB技術的一次重要驗證，更將進一步實現(xiàn)EV集團業(yè)內(nèi)領先的規(guī)模生產(chǎn)開放平臺的商業(yè)化。不僅如此，這項技術也是新一代微電子應用實現(xiàn)3D-IC封裝工藝集成的一項重大進步?！?BR>3D-IC集成技術通過將水平芯片結(jié)構(gòu)疊層組裝到垂直架構(gòu)中，可大大提高微型電子設備的形狀因數(shù)(芯片尺寸)、帶寬(芯片晶體管密度)以及功能性。但是，要實現(xiàn)這項革命性的新技術首先需要簡便經(jīng)濟的TB/DB解決方案將活性晶圓片鍵合到更厚的載體晶圓上，該技術能使活性晶圓的厚度減少到50 µm甚至更低，并通過穿透硅通孔(TSV)技術實現(xiàn)垂直方向芯片之間的相互連接。
EV集團將參加本周在臺北舉行的“國際半導體展(SEMICON Taiwan)”，屆時歡迎對EVG最新晶圓鍵合以及其他加工解決方案感興趣的媒體朋友和業(yè)內(nèi)分析師前往臺北世界貿(mào)易中心南港展覽館416號展位，或參加公司在展會期間的技術推介活動。9月4日15:30～ 16:00，公司技術開發(fā)及IP總監(jiān)Markus Wimplinger先生將在TechXPOT作題為“如何使用LowTemp™鍵合分離技術低成本地處理晶圓薄片” 的論文演講。Wimplinger先生還將于9月5日15:10～ 15:40在展會期間的MEMS論壇上發(fā)表題為“晶圓鍵合技術在大規(guī)模消費MEMS應用領域的發(fā)展趨勢”的演講。
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