超越臺(tái)積電 格羅方德稱2015推出10納米晶圓

格羅方德2009年由美商超微獨(dú)立而出，2010年并購(gòu)前特許半導(dǎo)體，蘇比表示，2009年剛獨(dú)立時(shí)，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術(shù)的設(shè)計(jì)能力，加上先前新加坡特許半導(dǎo)體在晶圓代工服務(wù)客戶經(jīng)驗(yàn)，ICInsights統(tǒng)計(jì)，2012年公司躍進(jìn)晶圓二哥，與臺(tái)積電同列晶圓雙雄。

公司企圖不只于此，蘇比看好行動(dòng)裝置電子產(chǎn)品內(nèi)建芯片對(duì)晶圓先進(jìn)制程的需求有高度成長(zhǎng)，2011年到2016年，40納米以下先進(jìn)制程的晶圓復(fù)合成長(zhǎng)率有37%，到2016年產(chǎn)值將占全球晶圓代工比重高達(dá)60%。

為了搶攻這波行動(dòng)商機(jī)，格羅方德去年推出14納米XM制程、2014年量產(chǎn)后，10納米2015年量產(chǎn)，兩種制程都導(dǎo)入鰭式晶體管(Finfet)。

格羅方德的10納米與14納米XM都是所謂的混合制程，例如14納米就是采用20納米的設(shè)備與設(shè)計(jì)工具做出線寬14納米的芯片，10納米就是運(yùn)用14納米的設(shè)備與設(shè)計(jì)工具，制造線寬約當(dāng)10納米的芯片。

相較于臺(tái)積電不做14納米制程，而是推出16納米Finfet，蘇比說(shuō)明，公司之所以作14納米，因?yàn)橛⑻貭柌粩噙M(jìn)軍行動(dòng)市場(chǎng)，公司的客戶感受到壓力。

格羅方德預(yù)計(jì)20納米下半年推出，與臺(tái)積電幾乎同步，公司12寸產(chǎn)能有德國(guó)德勒斯登的晶圓一廠(Fab1)與紐約八廠(Fab8)，各有4萬(wàn)片與6萬(wàn)片月產(chǎn)能，其中，F(xiàn)ab8將導(dǎo)入28納米以下最先進(jìn)制程。