聯華電子與美商Spansion合作技術研發(fā)與授權協議

聯華電子與閃存解決方案領導廠商Spansion日前共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作，整合聯華電子40納米LP邏輯工藝，以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取閃存技術。此份非專屬授權協議包含了授權聯華電子采用此技術為Spansion制造產品。
Spansion嵌入式電荷擷取技術是兼具高效能、低功耗及成本效益的NOR閃存技術，且此項新技術可與先進邏輯工藝相整合，用于系統單芯片產品上。此外，該技術可微縮至40納米以下，并可與High-k工藝結合。采用Spansion eCT技術的產品，將促進工業(yè)、汽車與消費性電子等應用產品所采用之技術，朝向更快速、更尖端的研發(fā)方向邁進。Spansion的eCT技術是擴展該公司PSS (Programmable System Solutions)產品技術藍圖的主要推手，其結合閃存與邏輯電路后，可強化需要大量使用內存，處理器與MIPS之應用產品的處理效能。
Spansion公司總裁暨執(zhí)行長John Kispert表示：「與聯華電子并肩合作，可進一步拓展Spansion的授權事業(yè)策略。藉由與聯華電子這樣的業(yè)界領導者合作，我們可更有效率地擴展本公司PSS產品技術藍圖與授權業(yè)務。除此之外，其它公司也將得以受惠于我們的電荷擷取技術，藉此跨入新市場，同時獲得更高的附加價值。」
聯華電子營運長陳文洋表示：「聯華電子期待與Spansion公司攜手，整合我們的40納米工藝與Spansion的電荷內存技術，利用雙方優(yōu)勢，共同打造業(yè)界頂尖的邏輯平臺。此次研發(fā)成果將可為不同產品市場的客戶，帶來具成本效益的創(chuàng)新技術解決方案。」