英特爾、美光聯(lián)合開發(fā)出高密度低成本20nm閃存

英特爾和美光科技( Micron Technology)日前宣布，已開發(fā)出128Gb的NAND閃存，新元件采用了針對閃存改良的20nm工藝制程，將high-k金屬柵極(HKMG)晶體管包含在內(nèi)。
兩家公司聲稱，他們開發(fā)出了全球首款獨立型128Gb存儲器，并表示將立即使用相同的制程量產(chǎn)20nm的64Gb NAND閃存元件，而新的128Gb元件預計2012上半年量產(chǎn)。
英特爾與美光并未描述20nm制程細節(jié)，而其他存儲器制造目前的制程技術(shù)也進展到20~29nm之間。過去曾有報導指出英特爾與美光采用25nm制程開發(fā)64Gb的NAND閃存。
新元件是由英特爾與美光的合資公司IM Flash Technologies(IMFT)開發(fā)。盡管兩家公司并未說明新元件的每個單元包含多少字節(jié)，但這款128Gb的存儲器在每個單元中使用了多層感測(multilevel sensing)技術(shù)。兩家公司同時表示，新元件也首次使用了平面單元架構(gòu)，藉由在NAND生產(chǎn)過程中整合HKMG柵極堆疊，克服了標準浮柵NAND閃存上的縮放限制。英特爾已經(jīng)在數(shù)個邏輯制程節(jié)點中使用過HKMG柵極堆疊晶體管，但相信這是首次應用在存儲器元件中。
英特爾與美光表示，他們將于12月量產(chǎn)20nm的64Gb NAND閃存，并預估2012年可轉(zhuǎn)換至量產(chǎn)128Gb元件。128Gb元件的樣品將在明年1月就緒，緊接著于明年上半年量產(chǎn)。
新的128Gb存儲器可支持智能手機、平板電腦和固態(tài)硬盤等應用中333MT/s的傳輸要求。而采用8個128Gb晶粒的存儲器模組將可提供Terabit等級的儲存容量。
“很高興見到英特爾-美光的合資公司再次領(lǐng)先推出高密度、低成本的20nm NAND元件，”英特爾副總裁暨非揮發(fā)性存儲器解決方案部門總經(jīng)理Rob Crooke說。