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[導(dǎo)讀]3D IC的全新架構(gòu)帶來極大改變,并非僅著眼于前端或后端制程執(zhí)行矽穿孔,關(guān)鍵在于晶圓代工廠、整合元件制造商(IDM)及封裝廠如何創(chuàng)造新的合作關(guān)系。在邏輯與記憶體晶片接合介面標(biāo)準(zhǔn)Wide I/O Memory Bus已于9月底塵埃落

3D IC的全新架構(gòu)帶來極大改變,并非僅著眼于前端或后端制程執(zhí)行矽穿孔,關(guān)鍵在于晶圓代工廠、整合元件制造商(IDM)及封裝廠如何創(chuàng)造新的合作關(guān)系。在邏輯與記憶體晶片接合介面標(biāo)準(zhǔn)Wide I/O Memory Bus已于9月底塵埃落定,而加入的半導(dǎo)體成員達上百家下,如此將有助于加快廠商開發(fā)時程,促使3D IC盡早展開量產(chǎn)。

著眼于異質(zhì)晶片接合標(biāo)準(zhǔn)對推動3D IC的重要性,在多家半導(dǎo)體廠共同組成JEDEC JC 11.2標(biāo)準(zhǔn)委員會,已快馬加鞭推動邏輯與記憶體晶片接合的介面標(biāo)準(zhǔn)Wide I/O Memory Bus已在9月底確立。如此一來,能透過標(biāo)準(zhǔn)的依循與協(xié)助,加快廠商開發(fā)時程,促使3D IC盡早展開量產(chǎn)。

臺積電已瞄準(zhǔn)3D IC蓄勢待發(fā)的商機積極搶攻,期借晶圓廠整合能力,將觸角伸及封裝領(lǐng)域,正積極發(fā)展3D IC架構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)矽穿孔(TSV),并結(jié)合現(xiàn)有晶圓級封裝(WLP)與堆疊封裝(PoP),打造完整的3D IC流程解決方案。

3D IC的生產(chǎn)流程須在前端晶圓代工制程進行矽穿孔,或是在后端封裝廠才執(zhí)行,各家看法不一。從 晶圓廠立場來說,在晶圓代工階段即導(dǎo)入矽穿孔制程,對晶片業(yè)者來說較具競爭力,因為晶圓廠對整個晶片設(shè)計的掌握度較佳,且新投入? 』備成本較少,借以滿足客戶控管生產(chǎn)成本及加快產(chǎn)品上市時程的考量。此外,晶片走入更先進制程后,拉高矽穿孔的技術(shù)門檻,封裝廠勢必要投入更多的設(shè)備,將提升成本,不符合客戶的成本考量。

臺積電積極拓展業(yè)務(wù)范疇,似乎已引起外界對侵蝕封裝廠商機的疑慮。對此,日月光認(rèn)為,這對晶圓代工產(chǎn)業(yè)而言,不只是再次肯定3D IC后段封裝測試的重要性,也意味著新一輪的賽局即將展開,預(yù)期將影響3D IC晶圓代工產(chǎn)業(yè)與封測產(chǎn)業(yè)既有的競爭與聯(lián)盟板塊,并促使晶圓代工、封裝、測試產(chǎn)業(yè)強化自身價值的差異化。

日月光指出,3D IC為未來晶片發(fā)展趨勢,供應(yīng)鏈將重新洗牌,將形成跨業(yè)整合的現(xiàn)象,例如整合半導(dǎo)體和微機電(MEMS),以及基板與封測產(chǎn)業(yè)合作內(nèi)埋元件技術(shù)(Embedded)。此外,3D IC的全新架構(gòu)帶來極大改變,并非僅著眼于前端或后端制程執(zhí)行矽穿孔,關(guān)鍵在于晶圓代工廠、整合元件制造商(IDM)及封裝廠如何創(chuàng)造新的垂直合作關(guān)系。
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