[導讀]隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術,該產業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。雖然最近幾個季度DRAM產業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極,但在今年剩余時間內力度將逐漸減弱。今年第一季度該產業(yè)的加權平均
隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術,該產業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
雖然最近幾個季度DRAM產業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極,但在今年剩余時間內力度將逐漸減弱。今年第一季度該產業(yè)的加權平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動DRAM技術遷移的力度增大。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
IHS iSuppli公司的研究顯示,但從第二季度開始,預計DRAM產業(yè)對于光刻工藝遷移的態(tài)度將不再那么積極,成本下降速度也將變慢。第二季度 lithography reduction將下降到5.2%,第三季度下降到4.8%,第四季度降到3.7%。相應地,成本削減幅度也將在第二季度下降到12%,第三和第四季度分別降至9和4%,如圖2所示。
確實,DRAM產業(yè)正在經歷幾種轉變,例如許多供應商進行戰(zhàn)略性調整,擺脫商品類DRAM;建立新的制造與代工聯(lián)盟;繼續(xù)向40納米及更先進的工藝遷移。IHS公司認為,所有這些因素都將對供需關系產生影響,進而影響利潤率和供應商的利潤。
令人意外的是,由于上一個繁榮周期利潤率大幅上升,第一季度DRAM產業(yè)保持盈利狀態(tài)。上一個繁榮周期始于2009年第二季度,持續(xù)到一年以后結束。盡管 DRAM平均銷售價格持續(xù)下降,但目前的周期符合歷史形態(tài),隨著需求的起伏變化,芯片價格與DRAM廠商的利潤也隨之波動。
尤其是,預期中的成本下降將來自技術變化,DRAM芯片將越來越多地采用新型光刻設備和技術制造。從2010年第四季度到今年第一季度,推動光刻工藝變化的主要廠商是Inotera和Rexchip,前者的平均光刻節(jié)點橫跨至50納米,而后者則前進到了40納米。
IHS iSuppli公司的研究顯示,雖然DRAM成本下降可以來自光刻技術變化以外的其它因素,但那些額外考慮現在完全可以排除。其中一個因素是以擴大規(guī)模效益為目的的產能增長,該因素將受到限制,因為廠商將繼續(xù)對專門用于產能擴張的資本支出保持謹慎。另一個因素是運營效率,由于以前及目前的疲軟局面促使廠商的運營保持相對緊縮,該因素預計不會對未來的成本節(jié)省有太大影響。
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