海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換遇瓶頸

全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競(jìng)爭(zhēng)中，一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida)，可能會(huì)更快完成制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，并動(dòng)搖海力士數(shù)年來(lái)維持的競(jìng)爭(zhēng)力。對(duì)此說(shuō)法，海力士反駁道，目前皆依照計(jì)劃日程順利進(jìn)行轉(zhuǎn)換中。

南韓相關(guān)業(yè)者引用DRAMeXange報(bào)告指出，三星電子(SamsungElectronics)、海力士、爾必達(dá)等主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者展開(kāi)轉(zhuǎn)換至30納米等級(jí)以下微細(xì)制程的激烈競(jìng)爭(zhēng)，其中三星與其他競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者維持相當(dāng)大的差距。

三星30納米制程比重持續(xù)擴(kuò)大，至2011年底預(yù)估將可擴(kuò)大至50%。爾必達(dá)計(jì)劃從6月開(kāi)始投入30納米制程量產(chǎn)，以年底達(dá)到整體產(chǎn)量50%為目標(biāo)積極作業(yè)中。

而海力士從2011年第1季開(kāi)始在30納米制程中首度采用6F2Layout進(jìn)行生產(chǎn)，但至2011年下半在擴(kuò)大30納米制程比重仍受限制，主要原因在海力士是首度在30納米制程中采用6F2技術(shù)，而30納米制程轉(zhuǎn)換作業(yè)又有技術(shù)上的困難。南韓證券專(zhuān)家對(duì)海力士是否能順利擴(kuò)大30納米制程比重也抱持尚待觀察的態(tài)度。

9個(gè)多月前三星便已開(kāi)始轉(zhuǎn)換到30納米制程，目前仍未能大幅擴(kuò)大比重，而海力士轉(zhuǎn)換制程至今約4個(gè)月，仍難說(shuō)會(huì)有怎樣的成果。南韓MiraeAssetSecurities分析師表示，40納米以下的制程比起現(xiàn)有制程，在技術(shù)方面的難易度較高，因此較難預(yù)測(cè)未來(lái)是否能順利轉(zhuǎn)換成功。三星從以前就已經(jīng)使用6F2技術(shù)，而海力士則是從30納米制程才開(kāi)始采用6F2技術(shù)，在擴(kuò)大比重方面較難抱持樂(lè)觀態(tài)度。如果海力士在轉(zhuǎn)換到30納米制程上仍無(wú)法擺脫瓶頸，恐怕會(huì)被爾必達(dá)趕過(guò)。

對(duì)于外界的評(píng)價(jià)，海力士表示，進(jìn)行尖端技術(shù)開(kāi)發(fā)已有一段時(shí)日，且擴(kuò)大資本支出，在擴(kuò)大比重方面不會(huì)有問(wèn)題。海力士相關(guān)人員表示，從第1季開(kāi)始投入30納米DRAM量產(chǎn)，計(jì)劃至年底將比重?cái)U(kuò)大至40%。且海力士為了使用6F2技術(shù)，從過(guò)去就已持續(xù)進(jìn)行相關(guān)研究，目前正順利進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換當(dāng)中，在擴(kuò)大比重方面也將會(huì)依照日程順利進(jìn)行。