全程免費到美國參加2011 MTT-S的機會來了

關鍵字： 射頻功率器件 2011 MTT-S 射頻驅動燈 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.近日宣布啟動首屆高性能射頻設計大賽注冊程序，誠邀世界各地的射頻工程師和學生提交各種射頻功率器件的應用創(chuàng)意。RF功率晶體管廣泛用于電信、航空航天、廣播基礎設施領域以及各種工業(yè)、科學和醫(yī)療等領域，而隨著RF LDMOS技術的功能更加強大、耐受力更高、成本更低，射頻驅動燈等新型應用也成為了可能。恩智浦高性能射頻設計大賽組委會將根據創(chuàng)新性、設計效率、實用性、原創(chuàng)性和概念驗證等指標對參賽設計進行評選。獎品總價值達2.5萬美元，其中包括全程免費到美國馬里蘭州巴爾的摩參加2011年MTT-S國際微波研討會的旅行機會。

恩智浦高性能射頻設計大賽分三個階段進行：

第一階段：概念設計——2011年1月10日至2月20日
第二階段：硬件設計——2011年2月28日至4月24日
第三階段：原型設計——2011年5月2日至29日

概念設計階段需要提交原始設計，包括摘要、標題和結構圖。參賽者在提交有效的參賽材料后即可收到免費的設計大賽開發(fā)套件。

在硬件設計階段，每位參賽者須提出有效的原型并提供概念證明——如視頻或測試報告——以及相應的物料清單、原理圖、布線圖和其它設計相關材料。

EMEA（歐洲、中東和非洲）、亞太和美洲地區(qū)的優(yōu)勝者將進入最后原型設計階段。在此階段，每位參賽者有機會在各地區(qū)的恩智浦高性能射頻設計實驗室改進其設計，而交通費和住宿費則由恩智浦承擔。

前三名參賽者將獲得全程免費參加IMS2011會議的機會。特等獎獎品還包括價值3,000美元的Apple Store代金券。

設計大賽社區(qū)注冊會員及恩智浦評委將對參賽設計進行評分和投票。

恩智浦半導體高級副總裁兼高性能射頻和照明業(yè)務總經理John Croteau表示：“高性能射頻技術通常用于解決最具挑戰(zhàn)性的工程難題，應用涵蓋衛(wèi)星接收器、無線基站、廣播發(fā)射機到ISM、航空航天、國防等領域，范圍十分廣泛。恩智浦此次舉辦高性能射頻設計大賽的目的在于激發(fā)有才華的射頻工程師進行創(chuàng)新思維，將射頻功率技術應用到各種有趣的新領域。換言之，希望參賽者能突破傳統(tǒng)、勇于嘗試，創(chuàng)造驚喜！而恩智浦則會幫助他們讓優(yōu)秀創(chuàng)意得以實現(xiàn)?！?br />

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