明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

時間：2010-10-21 11:06:34

關(guān)鍵字： Flash NAND 海力士 DRAM

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[導(dǎo)讀]海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當順利。2011年中計劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過去1、2年落后其它競爭

海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當順利。2011年中計劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過去1、2年落后其它競爭業(yè)者，但開始量產(chǎn)26納米NAND Flash之后，相信技術(shù)方面與其它先驅(qū)企業(yè)間的差距已大幅縮減。
海力士在30納米制程NAND Flash開發(fā)及量產(chǎn)上雖然較其它競爭公司晚了近6個月，但推出26納米產(chǎn)品后則將差距縮減至1季。外界也期待海力士是否能與其它競爭公司在相近的時期中推出20納米產(chǎn)品。
海力士2010年第2季末32納米以下NAND Flash產(chǎn)品比重約占整體產(chǎn)品30%，8月量產(chǎn)26納米產(chǎn)品后，第3季末產(chǎn)品比重已超越50%。第4季則將可望達到70%。
海力士2007年NAND Flash產(chǎn)品占有率約19%，其后市場萎縮，接連關(guān)閉NAND Flash主要產(chǎn)線8寸廠，2010年第1季時市占率已下滑至個位數(shù)。
以12寸廠為基準，三星電子(Samsung Electronics)每月產(chǎn)量30萬片、日廠東芝(Toshiba)每月產(chǎn)量24萬片，海力士目前每月產(chǎn)量僅7萬片。海力士計劃年底前將產(chǎn)能擴大至8 萬片，但權(quán)五哲對于擴大NAND Flash投資方面則慎重表示，將會綜合考量市場條件和競爭力等因素后，再進行投資。2011年投資金額目前尚未底定。