IBM確認(rèn)瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

時(shí)間：2010-06-23 10:01:34

關(guān)鍵字： IBM 柵極 FET 環(huán)形振蕩器

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[導(dǎo)讀]美國(guó)IBMT.J.華生研究中心（IBMT.J.WatsonResearchCenter）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010SymposiumonVLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確認(rèn)了工作情

美國(guó)IBMT.J.華生研究中心（IBMT.J.WatsonResearchCenter）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010SymposiumonVLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確認(rèn)了工作情況（論文編號(hào)：2.3）。此次試制的是“Gate-all-around”型FET，采用了通過柵極將柱狀硅納米線完全包起來的形狀。配備三維通道。一般情況下，如果可以實(shí)現(xiàn)直徑為3nm的硅納米線，柵極長(zhǎng)度就可以達(dá)到6nm左右。也就是說，這是一項(xiàng)瞄準(zhǔn)10nm以下工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的技術(shù)。

此次IBM試制了硅納米線直徑為3～14nm、柵極長(zhǎng)度為25nm～55nm的多種FET。采用了high-k柵極絕緣膜和金屬柵極。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果中公布了逆變電路輸出功率倒置的數(shù)據(jù)，以及環(huán)形振蕩器的延遲時(shí)間與電源電壓的關(guān)系如何隨著硅納米線的直徑發(fā)生變化等數(shù)據(jù)。硅納米線的直徑越短，環(huán)形振蕩器的延遲時(shí)間就越長(zhǎng)。據(jù)介紹，如果硅納米線的截面積較小，從觸點(diǎn)（Contact）到晶體管的電阻就會(huì)增大，最終導(dǎo)致延遲時(shí)間變長(zhǎng)。該電阻值的削減等將成為今后研究的一個(gè)課題。

此外，IBM還公開了硅納米線FET的截面照片和長(zhǎng)度方向的照片?？催^長(zhǎng)度方向照片的某位技術(shù)人員表示，“硅納米線的尺寸沒有出現(xiàn)參差不齊的現(xiàn)象。這點(diǎn)應(yīng)該給予好評(píng)”。