三星跳電 NAND、DRAM停止報(bào)價(jià)

DRAM龍頭大廠三星半導(dǎo)體24日下午生產(chǎn)線意外跳電，旗下位于企興（Kiheung）的12吋廠與8吋廠，分別負(fù)責(zé)生產(chǎn)NANDFlash、利基型DRAM產(chǎn)線跳電長(zhǎng)達(dá)30分鐘至40分鐘，由于情形不明，廠商相繼縮手，同步停止DRAM、NANDFlash報(bào)價(jià)。三星內(nèi)存顆粒供應(yīng)量高居全球第一，龍頭大廠產(chǎn)能中斷無疑對(duì)DRAM、NANDFlash供應(yīng)雪上加霜。

DRAM供不應(yīng)求情況恐怕將雪上加霜！三星半導(dǎo)體昨日下午驚傳跳電，三星旗下企興廠不明原因間歇性跳電，內(nèi)存模塊廠商表示，跳電的生產(chǎn)線為一條新的12吋產(chǎn)線，以及一座舊的的8吋廠，其中12吋廠以生產(chǎn)NANDFlash為主，8吋廠則是主攻利基型DRAM，跳電時(shí)間長(zhǎng)達(dá)30分鐘至40分鐘。

消息來源指出，三星的生產(chǎn)線集中在2大廠區(qū)，其中之一就是昨日下午跳電的企興廠，由于三星的電力供應(yīng)是連結(jié)整個(gè)廠區(qū)，消息來源指出，電力中斷實(shí)際上是牽涉到5條線至6條線的電力供應(yīng)，在狀況不明之下，廠商已經(jīng)暫時(shí)停止報(bào)價(jià)，待今日狀況進(jìn)一步明朗之后，再作打算。

國(guó)內(nèi)顆粒業(yè)者表示，三星跳電的DRAM生產(chǎn)線并非主流規(guī)格，主要以生產(chǎn)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（SDR），以及DDR1為主，因此對(duì)于大宗標(biāo)準(zhǔn)型DRAM沖擊不大，主要沖擊應(yīng)該會(huì)落在NANDFlash供應(yīng)上，況且半導(dǎo)體廠都有不斷電系統(tǒng)，暫時(shí)性的電力中斷應(yīng)該可以在幾個(gè)小時(shí)之內(nèi)，恢復(fù)生產(chǎn)。

內(nèi)存模塊廠商分析，由于狀況不明，市場(chǎng)預(yù)期缺貨心理沖擊，會(huì)比實(shí)際短少的產(chǎn)能更大，在預(yù)期拿不到貨之下，是不是會(huì)刺激廠商更積極搶貨，還有待觀察。

三星半導(dǎo)體發(fā)言管道昨日則表示，電力暫時(shí)中斷對(duì)整體的產(chǎn)能供應(yīng)影響并不大，然國(guó)內(nèi)的內(nèi)存模塊廠、顆粒廠仍密切注意三星跳電對(duì)產(chǎn)業(yè)造成的沖擊。

三星為NANDFlash、DRAM龍頭大廠，原本今年供應(yīng)就屬于短缺狀態(tài)，三星間歇性跳電意外對(duì)今年供需再添變量，NANDFlash、DRAM概念股將強(qiáng)勢(shì)反應(yīng)。