臺灣工研院與應(yīng)用材料公司共同開發(fā)3DIC核心制程

全球首座3DIC實(shí)驗(yàn)室預(yù)計將在明年中登場期間，臺灣工研院與美商應(yīng)用材料公司(Applied Material)宣布進(jìn)行3DIC核心制程的客制化設(shè)備合作開發(fā)。這個彈性的開放制程平臺，將整合3DIC的主流技術(shù)硅導(dǎo)穿孔(Through-silicon Vias，TSV)制程流程，縮短集成電路及芯片開發(fā)時間，協(xié)助半導(dǎo)體廠商迅速地將先進(jìn)芯片設(shè)計導(dǎo)入市場，進(jìn)而大幅降低初期投資。

臺灣工研院主導(dǎo)的3DIC實(shí)驗(yàn)室將建構(gòu)完整及多樣化的制程能力，整線系統(tǒng)包括蝕刻、實(shí)體氣相沈積、化學(xué)機(jī)械研磨及電漿強(qiáng)化化學(xué)氣相沈積四大設(shè)備，這新設(shè)備將會用來制造與硅導(dǎo)穿孔(TSV)技術(shù)相關(guān)的集成電路。

臺灣工研院與應(yīng)用材料公司將針對先鉆孔、后鉆孔以及顯露鉆孔的硅導(dǎo)穿孔(TSV)制程流程做技術(shù)整合，提供最小線寬的蝕刻、最快速度的沈積、最穩(wěn)定的制程研磨設(shè)備，協(xié)助聯(lián)盟的會員廠商迅速地將先進(jìn)的芯片設(shè)計導(dǎo)入市場，進(jìn)而大幅降低開發(fā)時間及初期投資。

臺灣工研院院長李鐘熙表示，以往我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)設(shè)備僅自行開發(fā)后端零組件，前端設(shè)備多為進(jìn)口，此次在3DIC開發(fā)初期就有設(shè)備開發(fā)廠商投入，表示我們在前端設(shè)備就能掌握相關(guān)制程技術(shù)，可以為臺灣地區(qū)半導(dǎo)體廠商主導(dǎo)3DIC關(guān)鍵制程，并為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展開另一波機(jī)會。

臺灣工研院并表示，與應(yīng)用材料公司合作，將有助于硅導(dǎo)穿孔(TSV)技術(shù)的效能精進(jìn)，并降低成本，帶動國內(nèi)外3DIC相關(guān)產(chǎn)業(yè)加入，加速臺灣地區(qū)在3DIC自主制程技術(shù)開發(fā)，先期掌握3DIC制程關(guān)鍵技術(shù)，提升臺灣地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭優(yōu)勢。