富士通、臺(tái)積電合作開發(fā)28nm技術(shù)

日本富士通微電子與臺(tái)積電(TSMC)宣布，雙方將以臺(tái)積電技術(shù)平臺(tái)為基礎(chǔ)，針對(duì)富士通微電子的28奈米邏輯IC產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn)、共同開發(fā)并強(qiáng)化28奈米高效能制程。

之前富士通微電子已經(jīng)與臺(tái)積電就40奈米制程進(jìn)行合作。這項(xiàng)協(xié)議代表富士通微電子將延伸已經(jīng)在臺(tái)積電生產(chǎn)的40奈米產(chǎn)品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28奈米高效能制程，而首批28奈米工程樣品預(yù)計(jì)于2010年年底出貨。

這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)的合作將整合富士通在高速制程與低耗電設(shè)計(jì)技術(shù)的專長(zhǎng)，以及臺(tái)積電節(jié)能的高效能邏輯╱系統(tǒng)單芯片制程及「開放創(chuàng)新平臺(tái)」(Open Innovation Platform)中的先進(jìn)技術(shù)。

此次延伸至28奈米制程的合作計(jì)劃，能在臺(tái)積電包含高效能與低耗電應(yīng)用的28奈米技術(shù)組合基礎(chǔ)上，提供富士通微電子與臺(tái)積電一個(gè)從深具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)、高效能28奈米技術(shù)中獲益的機(jī)會(huì)。

同時(shí)，二家公司也正在就先進(jìn)封裝合作的可能性進(jìn)行討論，希望能有效結(jié)合富士通微電子在高效能、無鉛、超高接腳(ultra-high-pin count)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及臺(tái)積電在芯片封裝整合與先進(jìn)的銅╱超低介電系數(shù)(Cu/ELK)導(dǎo)線的實(shí)力。

富士通微電子常務(wù)執(zhí)行董事八木春良(Haruyoshi Yagi)表示，我們先前宣布與臺(tái)積電在40奈米制程技術(shù)的合作正快速進(jìn)展中，目前已有好幾個(gè)產(chǎn)品進(jìn)入實(shí)體設(shè)計(jì)階段。透過與臺(tái)積電在28奈米高效能制程共同開發(fā)與生產(chǎn)上的合作。此舉將進(jìn)一步擴(kuò)大臺(tái)積電的營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)，同時(shí)擴(kuò)展富士通微電子在特殊應(yīng)用集成電路(ASIC)與特定應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)。

臺(tái)積電全球業(yè)務(wù)暨行銷副總經(jīng)理陳俊圣表示，我們過去在先進(jìn)技術(shù)上開發(fā)及量產(chǎn)的傲人紀(jì)錄，是富士通微電子選擇我們成為合作伙伴的原因之一。臺(tái)積電的技術(shù)平臺(tái)涵蓋與芯片設(shè)計(jì)相關(guān)的種種考量，包括設(shè)計(jì)套件、設(shè)計(jì)流程、臺(tái)積電與合作伙伴的硅智財(cái)、健全的組件資料、優(yōu)異的制程技術(shù)、后段的封裝及測(cè)試能力，此次的協(xié)議代表臺(tái)積電的技術(shù)平臺(tái)已獲得肯定。