美光公司因其DRAM和NAND閃存技術(shù)創(chuàng)新獲半導(dǎo)體Insight獎

美光科技股份有限公司宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的DRAM和NAND創(chuàng)新作為其第八屆Insight年度大獎的獲勝者。美光公司的32Gb、34納米的NAND閃存獲得“最具創(chuàng)新性工藝技術(shù)”獎，其1Gb、50納米的DDR2獲得“最具創(chuàng)新性DRAM技術(shù)”獎。

美光公司內(nèi)存事業(yè)部副總裁Brian Shirley說：“從Semiconductor Insights這樣一家知名的分析公司獲得這些大獎，美光公司感到很榮幸。這些大獎證實了美光公司在DRAM和NAND閃存方面持續(xù)的技術(shù)設(shè)計和工藝創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力。與我們的合作伙伴一道，美光公司繼續(xù)推動著內(nèi)存技術(shù)的進步?！?

Semiconductor Insights副總裁兼總經(jīng)理Emil Alexov說：“美光公司在DRAM和NAND領(lǐng)域獲得了巨大的進步，兩種技術(shù)的工藝水平能制造出迄今尺寸最小的產(chǎn)品，同時還提供首個亞40納米的閃存設(shè)備。他們被選為兩項而非一項Insight大獎的獲得者，這清楚地證明了他們的創(chuàng)新承諾?！?

據(jù)SI表示，32Gb、34納米的芯片是業(yè)內(nèi)首個密度最高的單片多層單元( MLC) NAND閃存芯片。由于密度高、尺寸小，此芯片使客戶能夠輕松地增加許多消費和計算產(chǎn)品（例如數(shù)碼相機、個人音樂播放器和固態(tài)硬盤）的NAND存儲容量。32Gb、34納米的NAND芯片由英特爾和美光公司共同開發(fā)，由雙方合資成立的NAND閃存公司IM Flash Technologies制造。

1Gb、50納米的DDR2芯片尺寸僅為41平方毫米，為客戶提供目前市面上最小的DRAM核心尺寸。在分析產(chǎn)品之后，SI注意到本產(chǎn)品具有他們迄今分析過的最先進的DRAM工藝技術(shù)。50納米、1Gb的DDR2由DRAM與南亞科技股份有限公司通過DRAM聯(lián)合開發(fā)項目共同開發(fā)。

Insight大獎表彰那些通過在半導(dǎo)體行業(yè)的設(shè)計創(chuàng)新和技術(shù)進步實現(xiàn)巨大的技術(shù)進步并改變我們生活世界的公司。2009年3月31日，作為TechInsight在圣何塞舉行的嵌入式系統(tǒng)大會（Embedded Systems Conference）的活動之一，在EE Times ACE獎和Insight 獎頒獎典禮上頒發(fā)了這些獎項。