我國(guó)首個(gè)ZnO納米棒場(chǎng)效應(yīng)晶體管研制成功

近日，中科院微電子所依靠獨(dú)立開(kāi)發(fā)的全新技術(shù)，成功研制出國(guó)內(nèi)首個(gè)ZnO納米棒場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導(dǎo)體材料。ZnO納米材料(納米線、納米棒、納米帶、納米環(huán)等等)具有較常規(guī)體材料更為優(yōu)越的性能，在傳感、光、電等諸多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，引起了國(guó)際學(xué)術(shù)界的極大關(guān)注。目前，國(guó)內(nèi)的研究集中在材料生長(zhǎng)和二極管器件制備方面。

微電子所張海英研究員領(lǐng)導(dǎo)的課題組，使用中國(guó)科技大學(xué)提供的材料，獨(dú)立開(kāi)發(fā)出一套全新的“由下至上”的納米器件設(shè)計(jì)和制備方法，采用常規(guī)的接觸式光學(xué)光刻技術(shù)，以ZnO納米棒作為溝道，與柵氧、背面柵金屬形成金屬——氧化物——半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，獲得了滿意的器件測(cè)試結(jié)果，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)首個(gè)背柵ZnO納米棒場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研制成功，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管研制的成功為新型納米器件及其應(yīng)用開(kāi)辟了全新的研究領(lǐng)域，課題組將繼續(xù)深入合作，協(xié)助材料生長(zhǎng)方制備出直徑更細(xì)的納米線，進(jìn)一步完善器件工藝，提高器件性能，為實(shí)用化解決關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。