[導讀]飛思卡爾半導體和意法半導體公布了雙方聯(lián)手開發(fā)汽車用半導體的進展情況。兩公司于2006年2月宣布開始進行聯(lián)合開發(fā)。預定于2008年第一季度開始樣品供貨最初的成果——聯(lián)合開發(fā)的MCU。該MCU采用90nm工藝制造。 在宣布將
飛思卡爾半導體和意法半導體公布了雙方聯(lián)手開發(fā)汽車用半導體的進展情況。兩公司于2006年2月宣布開始進行聯(lián)合開發(fā)。預定于2008年第一季度開始樣品供貨最初的成果——聯(lián)合開發(fā)的MCU。該MCU采用90nm工藝制造。
在宣布將展開聯(lián)合開發(fā)后，兩公司一直在致力于基于“Power”架構的、包括動力傳動系統(tǒng)、底盤、馬達控制及車身系統(tǒng)在內的車載應用產(chǎn)品的開發(fā)。另外，兩公司還表示一直在設計、制造90nm工藝嵌入閃存的測試芯片。參與聯(lián)合開發(fā)的工程師大約有130名，這些工程師在兩公司位于意大利那不勒斯、那不勒斯米蘭郊外的Agrate、巴西圣保羅及印度新德里的設計中心進行相關工作。“不僅能夠將兩公司在產(chǎn)品及工藝技術方面的能力結合起來，而且還可實現(xiàn)雙來源的產(chǎn)品供應，這一點也備受汽車業(yè)界關注。我們計劃在2008年上半年開始供應4種新產(chǎn)品。另外，還預定在2年內完成與可定標MCU設計相關的綜合性開發(fā)計劃”。
“我們一直在進行高效合作的領域之一是嵌入閃存的開發(fā)。目前正在對基于90nm嵌入閃存技術的最初測試芯片進行評測，到目前為止結果良好。預定向用戶提供具備完全可定標性的解決方案，此方案內容涉及在車身應用領域成本效率較高的閃存內置型MCU，乃至先進的動力傳動系統(tǒng)以及面向底盤系統(tǒng)的高性能產(chǎn)品”。
除此之外，聯(lián)合開發(fā)成果還包括最近發(fā)表的通用MCU架構的平臺設計。通過使用面向特定應用優(yōu)化后的周邊電路組件，可同時派生出多種產(chǎn)品。利用該方法能夠縮短產(chǎn)品投放市場的前導時間，能比較容易地實現(xiàn)兩公司“將Power架構應用于車載用MCU”的目標。
下載文檔
