滿足IC制造需求 半導(dǎo)體材料創(chuàng)新是關(guān)鍵
近幾年,由于市場需求的不斷擴大、投資環(huán)境的日益改善、優(yōu)惠政策的吸引及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移等等原因,我國集成電路產(chǎn)業(yè)每年都保持30%的增長率。而今后,對整個集成電路產(chǎn)業(yè)來講,3G和無線寬帶、數(shù)字電視機頂盒、RFID卡以及汽車電子等幾個熱點領(lǐng)域仍將帶動我國集成電路產(chǎn)業(yè)全速增長。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹,集成電路制造過程中需要的主要關(guān)鍵原材料有幾十種,材料的質(zhì)量和供應(yīng)直接影響著集成電路的質(zhì)量和競爭力,因此支撐關(guān)鍵材料業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中最上游也是最重要的一環(huán)。
隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,特別是光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,將進(jìn)一步刺激多晶硅、單晶硅等基礎(chǔ)材料需求量的不斷增長。業(yè)內(nèi)專家表示,雖然國際市場對4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降,但中國的生產(chǎn)還會持續(xù)多年,預(yù)計未來幾年小尺寸硅單晶的年產(chǎn)量仍在2500噸左右,8英寸、12英寸硅片產(chǎn)量將提升,逐步形成滿足100nm-65nm線寬集成電路需求的12英寸硅拋光片和外延片的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地;將加快6英寸~8英寸SOI、SiGe和應(yīng)變硅材料產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
此外,目前,世界半導(dǎo)體行業(yè)巨頭紛紛到國內(nèi)投資,整個半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展,這也要求材料業(yè)要跟上半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的步伐。可以說,市場發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來前所未有的發(fā)展機遇。
國產(chǎn)材料新品不斷面對巨大的市場需求,國內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)立足自主創(chuàng)新,不斷攻克一個又一個難關(guān),推出適應(yīng)市場的半導(dǎo)體材料新品。
有研半導(dǎo)體材料股份有限公司負(fù)責(zé)人表示,他們攻克了12英寸硅單晶生長的熱場設(shè)計和安全、雜質(zhì)和缺陷的控制、硅片幾何參數(shù)的精密控制、表面金屬和顆粒的去除等關(guān)鍵技術(shù)難題,形成了從單晶生長到晶片加工、處理和檢測的自有成套技術(shù),并利用該套技術(shù)開發(fā)成功直徑12英寸硅單晶拋光片新產(chǎn)品,填補了國內(nèi)空白。產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)達(dá)到了國際先進(jìn)水平(如局部平整度小于0.10微米、大于0.09微米的顆粒少于238個/片、表面金屬含量低于1E10個原子/每平方厘米),可滿足0.13微米-0.10微米線寬的先進(jìn)集成電路制造技術(shù)要求。
天津環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司總經(jīng)理沈浩平介紹說,環(huán)歐公司大直徑區(qū)熔硅生長技術(shù)在單晶的熱場設(shè)計、生長速度、溫度梯度控制、防高壓電場擊穿等生長工藝方面具有自主創(chuàng)新技術(shù),該技術(shù)達(dá)到國際同行先進(jìn)水平,廣泛應(yīng)用于電力電子產(chǎn)業(yè)及半導(dǎo)體器件,市場前景廣闊。 寧波立立電子股份有限公司用氣相摻氮技術(shù)抑制了硅單晶中的空洞(COP)缺陷,提高了集成電路的成品率和降低了IC制備中的成本,在氮氣摻入量的控制及摻入方法具有自主創(chuàng)新性。該技術(shù)屬國內(nèi)獨有,獲得國際同行的認(rèn)可,并獲得國家三項發(fā)明專利和科技成果獎。
寧波康強電子股份有限公司在鍵合銅絲產(chǎn)品的配方、結(jié)構(gòu)和制備工藝方面具有自主技術(shù)創(chuàng)新,產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能和使用條件方面均達(dá)到或優(yōu)于進(jìn)口同類產(chǎn)品(產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能與進(jìn)口相同,抗氧化性、應(yīng)用條件優(yōu)于進(jìn)口產(chǎn)品)。產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣(半導(dǎo)體和光電子行業(yè)),替代部分鍵合金絲,為用戶節(jié)約大量成本,該產(chǎn)品目前國內(nèi)尚沒有可以批量生產(chǎn)的企業(yè)。