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[導(dǎo)讀]模擬器件公司(ADI)的模擬技術(shù)副總裁LewisCounts表示,隨著IC采用SiGe和SOI等其它材料制造,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在過(guò)去10年已進(jìn)入“超級(jí)硅時(shí)代”,硅已不能獨(dú)自滿(mǎn)足電子產(chǎn)業(yè)的要求。 Counts在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上發(fā)表主

模擬器件公司(ADI)的模擬技術(shù)副總裁LewisCounts表示,隨著IC采用SiGe和SOI等其它材料制造,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在過(guò)去10年已進(jìn)入“超級(jí)硅時(shí)代”,硅已不能獨(dú)自滿(mǎn)足電子產(chǎn)業(yè)的要求。

Counts在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上發(fā)表主旨演講時(shí),對(duì)臺(tái)下的數(shù)百名聽(tīng)眾說(shuō)道:“我在過(guò)去10年里提出,我們已進(jìn)入超級(jí)硅時(shí)代。”

Counts贊揚(yáng)了JeanHoerni和他的飛兆半導(dǎo)體同事在上世紀(jì)50年代發(fā)明平面工藝,將之稱(chēng)為“20世紀(jì)意義最重大的成就之一”,并稱(chēng)其奠定了硅作為電子產(chǎn)業(yè)中關(guān)鍵材料的地位。但他指出,最近幾年出現(xiàn)了更加復(fù)雜的工藝,以滿(mǎn)足更高的系統(tǒng)要求。他說(shuō),今天需要從SiGeBiCMOS一直到100VDMOS的各種工藝,以最好地支持許多系統(tǒng)。

Counts表示,其它新型結(jié)構(gòu)和材料可能進(jìn)入半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,將把器件性能提升到目前無(wú)法想像的高度。

Counts指出:“在不降低模擬和混合信號(hào)器件的動(dòng)態(tài)范圍情況下,我們能否繼續(xù)改善速度和性能?我認(rèn)為我們能夠做到這點(diǎn),但必須對(duì)器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行根本性的改變?!?BR>
Counts認(rèn)為模擬/混合信號(hào)芯片設(shè)計(jì)面臨五大挑戰(zhàn):動(dòng)態(tài)范圍,帶寬,絕對(duì)值(電壓,電流,速度和溫度)、功率效率和復(fù)雜性。他說(shuō),模擬與數(shù)字設(shè)計(jì)之間的界線(xiàn)趨于模糊,但二者仍然保持區(qū)別而且屬于不同領(lǐng)域?!暗谧罡邔哟紊希O(shè)計(jì)就是設(shè)計(jì)?!?BR>
Counts還談及把多個(gè)射頻集成到手機(jī)之中所面臨的挑戰(zhàn),估計(jì)未來(lái)的手機(jī)將至少含有六種無(wú)線(xiàn)技術(shù),支持Wi-Fi、Bluetooth、WiBree、超寬帶(UWB)、WiMax、近距通訊(NFC)和電子標(biāo)簽(RFID)等通訊標(biāo)準(zhǔn)。他說(shuō),這將在技術(shù)方面遇到挑戰(zhàn),商業(yè)前景也會(huì)遇到麻煩,因?yàn)橐氤晒Φ匕堰@些技術(shù)整合在一起,同時(shí)必須把成本和功耗控制在最低水平。

Counts表示,設(shè)計(jì)師不愿意為每種無(wú)線(xiàn)技術(shù)建立多個(gè)天線(xiàn),但將會(huì)需要某種形式的自適應(yīng)性天線(xiàn)。他猜測(cè)這種自適應(yīng)性天線(xiàn)也許是MEMS開(kāi)關(guān)。
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