IDF消息 英特爾開發(fā)每秒萬億次級研究芯片
萬億次級研究原型硅片
Rattner概括了硅技術(shù)的三個(gè)主要突破。第一個(gè)是關(guān)于英特爾萬億次級研究原型硅片,這是世界上首個(gè)可編程的每秒萬億次級浮點(diǎn)運(yùn)算的處理器。這個(gè)實(shí)驗(yàn)性的芯片包含有80個(gè)單一內(nèi)核,運(yùn)行頻率達(dá)3.1Ghz,目的在于測試萬億字節(jié)數(shù)據(jù)在核與核之間、核與內(nèi)存之間快速傳輸時(shí)的互連策略。
“當(dāng)與我們最近在硅光子學(xué)方面的突破聯(lián)系在一起時(shí),這些實(shí)驗(yàn)性的芯片可以說解決了萬億次級計(jì)算的三個(gè)主要的要求——每秒執(zhí)行萬億次運(yùn)算(teraOPS)的性能、每秒萬億字節(jié)的內(nèi)存帶寬、每秒萬億比特的I/O能力,”Rattner說?!氨M管這些技術(shù)的任何商業(yè)應(yīng)用都將是幾年后的事情,但要將萬億次級的性能帶給計(jì)算機(jī)和服務(wù)器,這是激動人心的第一步?!?
現(xiàn)有的芯片設(shè)計(jì)將數(shù)億個(gè)晶體管唯一地進(jìn)行排列,與之不同的是,此次芯片設(shè)計(jì)包括80層8×10塊陣列的晶體管。每一層均包括一個(gè)微小的核心或者計(jì)算單元,以一個(gè)簡單的指令集處理浮點(diǎn)數(shù)據(jù),但不兼容英特爾架構(gòu)。每層也包括一個(gè)路由,將核心連接到一個(gè)片上網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)將所有核心連接在一起,使他們可以讀寫內(nèi)存。
第二個(gè)主要的創(chuàng)新,是一個(gè)20M字節(jié)的SRAM內(nèi)存芯片,它與處理器硅晶片堆疊并連接在一起。與硅片堆疊使得兩者之間的數(shù)千個(gè)相互連接成為可能,在存儲器和處理核心之間提供超過每秒萬億字節(jié)的帶寬。
Rattner展示了第三大主要的創(chuàng)新,即最近發(fā)布的與加州大學(xué)圣芭芭拉分校的研究人員協(xié)作研發(fā)的混合硅激光(Hybrid Silicon Laser)芯片。該技術(shù)突破使得數(shù)十、甚至可能是數(shù)百的混合硅激光可以與其他的硅光子學(xué)部件一起,集成到一個(gè)單一的硅芯片上。這可能帶來一個(gè)每秒萬億比特的光學(xué)連接,能夠在計(jì)算機(jī)內(nèi)部的芯片之間、計(jì)算機(jī)之間、甚至在數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器之間加速萬億字節(jié)的數(shù)據(jù)傳輸。