下一代Chip Stack技術(shù)將使雙層堆疊SiP厚度縮小到0.5mm

    瑞薩科技近日在蘇州電博會(huì)舉行的技術(shù)交流會(huì)上透露，該公司正在開(kāi)發(fā)的下一代Chip Stack技術(shù)將使其SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝)產(chǎn)品加速向薄型發(fā)展?！澳壳叭鹚_科技2個(gè)裸片堆疊的SiP厚度為1.2mm?！比鹚_科技SiP設(shè)計(jì)事業(yè)部經(jīng)理海野雅史表示，“我們的目標(biāo)是在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上使該值降低到1.0mm，然后利用下一代的Chip Stack處理技術(shù)，進(jìn)一步將其縮減到0.5mm。”

    瑞薩科技將通過(guò)硅連接電極技術(shù)達(dá)到上述目的。海野雅史以CPU和存儲(chǔ)器2層裸片堆疊的SiP為例介紹說(shuō)，硅連接電極技術(shù)的原理是通過(guò)最短配線改善電器特性。具體做法是在裸片層間放置硅轉(zhuǎn)接板(Si Interposer)，從而代替目前的連接方式?！跋乱淮鶦hip Stack SiP技術(shù)將幫助芯片封裝厚度降低到目前的一半以下，從而實(shí)現(xiàn)超薄型化。”他說(shuō)。

    通過(guò)這項(xiàng)舉措，瑞薩科技將進(jìn)一步達(dá)到其目標(biāo)，即進(jìn)一步降低芯片的EMI以及能耗，從而保持在數(shù)碼家電領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先地位。海野雅史表示，最先采用下一代Chip Stack技術(shù)的產(chǎn)品將是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)以及數(shù)字錄像機(jī)專(zhuān)用芯片。

    SiP技術(shù)正在英特爾、飛利浦、三星等公司的推動(dòng)下飛速發(fā)展。英特爾不久前還在上海成立了中國(guó)封裝技術(shù)研發(fā)中心，主攻SiP，并聲稱(chēng)將在年內(nèi)推出1.2mm厚的5層裸片堆疊的SiP。該公司還表示其正在開(kāi)發(fā)8層裸片堆疊的SiP技術(shù)，厚度仍然為1.2mm。而瑞薩目前也表示將在2006年實(shí)現(xiàn)1.5mm厚度的5層裸片堆疊SiP，并在2007年全面采用下一代Chip Stack處理技術(shù)時(shí)使其下降到1mm以下。

    事實(shí)上，SiP技術(shù)已經(jīng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼錄像機(jī)以及手機(jī)中已得到了廣泛的應(yīng)用。這是由于除了尺寸較小，元件數(shù)量降低之外，還能夠減少開(kāi)發(fā)周期，節(jié)省成本。該技術(shù)的另外一個(gè)重要特性就是EMI噪音可以得到很好地控制。

    海野雅史表示，SiP方案能夠優(yōu)化系統(tǒng)特性，非常適用于數(shù)字電視系統(tǒng)。他說(shuō)：“SiP能夠幫助數(shù)字電視降低電路板輻射勢(shì)能，減少35%的基板面積。”他指出，采用SiP芯片之后，SDRAM附近的開(kāi)關(guān)噪音峰值也大大降低，瑞薩的試驗(yàn)顯示該值降幅達(dá)71％。

    瑞薩公司還推出了針對(duì)高速I(mǎi)/F的解決方案，通過(guò)其在SiP方面的獨(dú)特技術(shù)，該公司將DDR同CPU封裝在一起，使原來(lái)由分立器件構(gòu)成的12層PCB板SDRAM系統(tǒng)簡(jiǎn)化成10層PCB板的DDR系統(tǒng)?？蛻魺o(wú)需設(shè)計(jì)高速總線，基板尺寸也得到縮小，同時(shí)存儲(chǔ)器的采購(gòu)壓力也相應(yīng)得到減輕。

    談到在SiP方面的優(yōu)勢(shì)。海野雅史樂(lè)觀指出：“瑞薩擁有功能豐富的全系列CPU核。我們擁有高密度組裝、試驗(yàn)、IP以及從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的一條龍支持等眾多SiP方面的獨(dú)特技術(shù)?！?此外他表示，瑞薩自有的SDRAM存儲(chǔ)器以及與眾多DDR、Flash、SRAM以及FRAM存儲(chǔ)器供應(yīng)商的密切合作，都是該公司SiP在技術(shù)和市場(chǎng)方面保持領(lǐng)先地位的重要因素。

    不久前剛剛宣布SiP產(chǎn)品累積出貨量達(dá)到1億片的瑞薩對(duì)其該項(xiàng)業(yè)務(wù)的未來(lái)充滿信心。海野雅史介紹，該公司目前已經(jīng)在位于北海道Hakodate的一個(gè)工廠中開(kāi)始生產(chǎn)5層裸片堆疊的產(chǎn)品，同時(shí)瑞薩科技也正在全力推進(jìn)90nm~65nm的新型SiP產(chǎn)品?！靶庐a(chǎn)品將擁有高頻接口、高密度的存儲(chǔ)器以及更低的噪音?！彼f(shuō)。