韓國政府?dāng)y手三星與海力士研發(fā)MRAM芯片

根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報導(dǎo)，韓國政府宣布，已與半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進(jìn)行磁性隨機(jī)存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory；MRAM)的研發(fā)專案，以維持韓國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。

韓國知識經(jīng)濟(jì)部半導(dǎo)體與面板部門首長 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發(fā)完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場，并預(yù)估該市場于2015年將有 530億美元的產(chǎn)值。Park也指出，此項共同研發(fā)專案將讓韓國擁有基礎(chǔ)技術(shù)，支持韓國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)續(xù)保世界級的競爭力。

政府計劃負(fù)擔(dān)該合作專案一半的成本，為240億韓元(約2,080萬美元)，另外一半將由三星與海力士共同出資。韓國政府表示，研發(fā)中心目前已安裝12寸 (300mm)磁性薄膜沈積系統(tǒng)(Magnetic Thin Film Deposition System)以及其它芯片制造設(shè)備，優(yōu)于日本競爭對手研發(fā)STT-MRAM時所使用的8寸(200mm)沈積系統(tǒng)，預(yù)期將讓韓國在研發(fā)腳步上領(lǐng)先。